EDA與制造相關(guān)文章 英特爾與美國國防部深化合作采用18A工藝生產(chǎn)芯片 4 月 23 日消息，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進(jìn)一步加深合作，共同研發(fā)全球最先進(jìn)的芯片制造工藝，這項合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項目的第一階段基礎(chǔ)上拓展而來的。 發(fā)表于：4/23/2024 中國半導(dǎo)體產(chǎn)量創(chuàng)歷史新高 成熟制程芯片占主導(dǎo) 4月22日消息，中國第一季度半導(dǎo)體產(chǎn)量激增40%，標(biāo)志著成熟制程芯片在中國市場的主導(dǎo)地位日益鞏固。 根據(jù)中國國家統(tǒng)計局公布的最新數(shù)據(jù)，僅三月份全國集成電路產(chǎn)量就高達(dá)362億片，同比增長28.4%，創(chuàng)下歷史新高。 這一驚人增長的背后，新能源汽車等下游行業(yè)的強(qiáng)勁需求功不可沒。 發(fā)表于：4/22/2024 消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位 消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位 發(fā)表于：4/22/2024 安卓進(jìn)入3nm時代！高通驍龍8 Gen4首次采用3nm工藝 4月20日消息，數(shù)碼閑聊站透露，高通驍龍8 Gen4將首次采用臺積電3nm工藝，這意味著安卓陣營正式邁入3nm時代。 早在去年，蘋果率先切入3nm工藝，首顆3nm芯片是A17 Pro，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首發(fā)搭載。 據(jù)悉，臺積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝，分別是N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首個3nm節(jié)點(diǎn)，A17 Pro使用的便是N3B。 今年10月份登場的驍龍8 Gen4將會采用臺積電第二代3nm工藝N3E，N3E是N3B的增強(qiáng)版，其功耗表現(xiàn)優(yōu)于N3B工藝，并且良率更高、成本也相對較低。 另外，高通驍龍8 Gen4將會啟用自研的Nuvia架構(gòu)，不再使用Arm公版架構(gòu)方案，這將是高通驍龍5G SoC史上的一次重大變化。 數(shù)碼閑聊站透露，目前高通驍龍8 Gen4性能極強(qiáng)，但是因為頻率設(shè)定過高，功耗表現(xiàn)一般，預(yù)計量產(chǎn)時頻率會降低。 發(fā)表于：4/22/2024 英特爾率先完成組裝ASML新一代光刻機(jī) 2nm以下芯片必備！英特爾率先完成組裝ASML新一代光刻機(jī) 發(fā)表于：4/19/2024 臺積電CEO下調(diào)2024全球代工廠預(yù)估產(chǎn)值增幅至10% 4 月 19 日消息，臺積電昨日宣布截至 2024 年 3 月 31 日的第一季度合并收入為 5926.4 億新臺幣，同比增長 16.5%，環(huán)比下降 5.3%；凈利潤為 2254.9 億新臺幣，同比增長 8.9%，環(huán)比下降 5.5%。 臺積電在財報電話會議上強(qiáng)調(diào)了兩項重大修正：下調(diào)了全球晶圓代工行業(yè)的年度增長預(yù)期、汽車行業(yè)的增長前景從積極轉(zhuǎn)為消極。 臺積電首席執(zhí)行官魏哲家在財報電話會議中表示終端應(yīng)用的前景和 3 月前預(yù)期基本相同，不過此前預(yù)測全年汽車行業(yè)會增長，但現(xiàn)在預(yù)測會下降。 發(fā)表于：4/19/2024 美光下周有望獲批超60億美元芯片法案撥款 美國最大存儲芯片制造商美光科技（Micron Technology Inc.）有望從商務(wù)部獲得60億美元的補(bǔ)貼，用于支付本土建廠項目費(fèi)用，這是美國將半導(dǎo)體生產(chǎn)遷回本土努力的一部分。 據(jù)知情人士透露，此事尚未最終敲定，最早可能在下周宣布。目前尚不清楚除了直接補(bǔ)貼外，美光科技是否會像英特爾和臺積電一樣、還計劃接受按照2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》（Chips and Science Act，以下簡稱“芯片法案”）可以提供的貸款。 發(fā)表于：4/19/2024 SK海力士與臺積電簽署諒解備忘錄 韓國SK海力士4月18日宣布，近期臺積電簽署了一份諒解備忘錄，雙方將合作生產(chǎn)下一代HBM，并通過先進(jìn)的封裝技術(shù)提高邏輯和HBM的集成度。該公司計劃通過這一舉措著手開發(fā)HBM4，即HBM系列的第六代產(chǎn)品，預(yù)計將于2026年開始量產(chǎn)。兩家公司將首先致力于提高安裝在HBM封裝最底部的基礎(chǔ)芯片的性能，并同意合作優(yōu)化SK海力士的HBM和臺積電的CoWoS技術(shù)的整合，合作應(yīng)對客戶對HBM的共同要求。 發(fā)表于：4/19/2024 三星計劃將TC-NCF用于16層HBM4內(nèi)存生產(chǎn) 三星計劃將TC-NCF用于16層HBM4內(nèi)存生產(chǎn)，將推整體 HBM 定制服務(wù) 發(fā)表于：4/19/2024 消息稱臺積電2024下半年量產(chǎn)銳龍PRO8040/80系列AI處理器 消息稱臺積電2024下半年量產(chǎn)銳龍PRO8040/80系列AI處理器 發(fā)表于：4/19/2024 臺積電：CoWoS需求持續(xù)火爆，端側(cè) AI 將拉低智能手機(jī)和 PC 換機(jī)周期 臺積電：CoWoS 需求持續(xù)火爆，端側(cè) AI 將拉低智能手機(jī)和 PC 換機(jī)周期 發(fā)表于：4/19/2024 美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存 4月17日消息，美光公司近日宣布，已成功實現(xiàn)232層QLC NAND閃存的量產(chǎn)，并已向特定關(guān)鍵SSD客戶發(fā)貨。這款革命性的閃存產(chǎn)品不僅面向消費(fèi)級客戶端，同時還將為企業(yè)級存儲客戶和OEM廠商提供強(qiáng)大支持，其中就包括Micron 2500 NVMe SSD。 美光強(qiáng)調(diào)，這款四層單元的NAND閃存新品代表了行業(yè)的一大突破，其層數(shù)和密度均達(dá)到前所未有的水平。這種新型閃存不僅能實現(xiàn)比傳統(tǒng)NAND閃存更高的存儲密度和設(shè)計靈活性，還能有效縮短訪問時間，為各類應(yīng)用提供更為流暢的體驗。 發(fā)表于：4/18/2024 ASML公開表示：將繼續(xù)為中國大陸廠商提供設(shè)備維修服務(wù) 4月18日消息，ASML公開表示，將繼續(xù)為中國大陸廠商提供設(shè)備維修服務(wù)。 此前有消息稱，美國計劃向荷蘭施壓，試圖阻止ASML在中國提供部分設(shè)備的維修服務(wù)。 發(fā)表于：4/18/2024 半導(dǎo)體材料解決方案商納宇新材舉辦首屆渠道大會暨產(chǎn)品發(fā)布會 3月25-26日，納宇半導(dǎo)體材料(寧波)有限責(zé)任公司（簡稱“納宇新材”）在寧波市洲際酒店舉辦首屆渠道大會暨產(chǎn)品發(fā)布會。活動以“互連未來、共創(chuàng)輝煌”為主題，匯聚了半導(dǎo)體行業(yè)專家、精英與來自全國各地的合作伙伴等近百人，共同探討半導(dǎo)體封裝技術(shù)的最新進(jìn)展和見證納宇新材在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新成果。 發(fā)表于：4/18/2024 阿斯麥 High-NA EUV光刻機(jī)取得重大突破 4 月 18 日消息，荷蘭阿斯麥 (ASML) 公司宣布，其首臺采用 0.55 數(shù)值孔徑 (NA) 投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑 (High-NA) 極紫外 (EUV) 光刻機(jī)已經(jīng)成功印刷出首批圖案，這標(biāo)志著 ASML 公司以及整個高數(shù)值孔徑 EUV 光刻技術(shù)領(lǐng)域的一項重大里程碑。 發(fā)表于：4/18/2024 ?…105106107108109110111112113114…?
