4 月 19 日消息，三星半導體近日在韓國官網刊登了對兩位高管關于 HBM 內存方面的采訪，采訪中這兩位高管表示，三星計劃將 TC-NCF 工藝用于 16 層 HBM4 內存的生產。
TC-NCF 是一種有凸塊的傳統多層 DRAM 間鍵合工藝，相較于無凸塊的混合鍵合更為成熟；但因為凸塊的引入，采用 TC-NCF 生產相同層數的 HBM 內存會相對更厚。
三星表示，其前不久成功采用 TC-NCF 鍵合工藝推出了 12 層堆疊的 36GB HBM3E 內存。在該內存生產過程中，三星針對發熱進行了結構優化，保證高堆疊層數下 HBM 的可靠性。
除繼續使用 TC-NCF 鍵合外，根據IT之家此前報道，未來三星在 HBM4 內存生產中也會應用混合鍵合，采用“兩條腿走路”的策略。
三星高管表示，如果 AI 處理器和內存廠商各自優化產品，很難滿足未來 AGI 對算力的需求，因此兩方面的廠商需要通力合作，而為特定 AI 需求定制 HBM 內存就是邁向 AGI 的第一步。
三星電子將充分利用其全面的邏輯芯片代工、內存生產、先進封裝業務，建立一個 HBM 內存定制生態平臺，快速響應用戶的定制需求。
此外，三星電子已就未來的 3D HBM 內存（將 HBM 和邏輯芯片垂直集成）與客戶進行了討論。
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