HBM4 相關(guān)文章(40篇)
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美光宣布向多個關(guān)鍵客戶出樣HBM4 36GB 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：6/11/2025 11:17:03 AM
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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發(fā)表于：4/28/2025 11:25:58 AM
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消息稱三星電子HBM4內(nèi)存邏輯芯片進展較佳
發(fā)表于：4/18/2025 10:46:39 AM
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HBM4內(nèi)存正式標準化 JEDEC發(fā)布JESD270-4規(guī)范
發(fā)表于：4/17/2025 12:28:01 PM
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創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片
發(fā)表于：4/3/2025 9:13:36 AM
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下一代HBM4和HBM4E內(nèi)存沖擊單顆64GB
發(fā)表于：3/21/2025 11:00:52 AM
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SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內(nèi)存樣品
發(fā)表于：3/19/2025 11:25:37 AM
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消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高
發(fā)表于：2/27/2025 11:18:08 AM
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2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點
發(fā)表于：2/10/2025 4:15:52 PM
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消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：1/21/2025 1:00:00 PM
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三星完成HBM4邏輯基礎(chǔ)裸片設(shè)計
發(fā)表于：1/6/2025 10:55:19 AM
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三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)
發(fā)表于：1/3/2025 3:11:51 PM
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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SK海力士將采用臺積電3nm生產(chǎn)HBM4
發(fā)表于：12/5/2024 10:57:17 AM
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消息稱特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發(fā)表于：11/21/2024 11:09:01 AM
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消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發(fā)表于：11/15/2024 11:05:20 AM
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三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案
發(fā)表于：11/15/2024 10:15:19 AM
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SK海力士稱英偉達要求其提前6個月供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：11/5/2024 11:30:51 AM
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：11/4/2024 1:16:16 PM
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：10/23/2024 11:18:21 AM
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三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
發(fā)表于：9/9/2024 10:18:38 AM
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三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發(fā)表于：9/5/2024 8:50:11 AM
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消息稱三星電子以自家4nm先進工藝打造HBM4內(nèi)存邏輯芯片
發(fā)表于：7/16/2024 6:55:00 PM
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英偉達臺積電和SK海力士深化三角聯(lián)盟
發(fā)表于：7/15/2024 9:07:00 AM
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JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會表示HBM4內(nèi)存標準即將定稿
發(fā)表于：7/12/2024 9:17:00 AM
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三星電子計劃在HBM4世代為客戶開發(fā)多樣化定制HBM內(nèi)存
發(fā)表于：7/11/2024 9:15:00 AM
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HBM芯片之爭愈演愈烈
發(fā)表于：7/10/2024 9:10:00 AM
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ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
發(fā)表于：6/28/2024 8:44:00 AM
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消息稱臺積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子拿下SK海力士大單
發(fā)表于：6/24/2024 11:35:08 AM
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU和Vera CPU
發(fā)表于：6/3/2024 11:27:44 AM
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