4 月 18 日消息，據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了 40% 的良率，這高于一般的 10% 起點，也好于此前同制程產品的不足 20%。

40% 只是一個初期成績，未來會隨著芯片制造的成熟逐步提高。而該百分比顯示 4nm HBM4 邏輯芯片的進一步開發有了較為穩定的基礎。

三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用較為激進的技術路線，以挽回局面。

三星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內存芯片和 4nm 邏輯芯片，雖然邏輯芯片端的初始成績較為喜人，但 1c DRAM 方面似乎遇到了一些問題。

另一家韓媒《DealSite》當地時間昨日報道稱，自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發量產造成明顯影響。三星試圖通過適當放寬線寬等方式來改進電容器表現，但穩定性尚未達到預期水平，很可能會拖慢 1c nm 進度。