7 月 10 日消息，綜合韓媒 The Elec 和 ZDNET Korea 報道，三星電子在昨日舉行的三星晶圓代工論壇 & SAFE 論壇 2024 韓國首爾場上表示，定制 HBM 預(yù)計在 HBM4 世代成為現(xiàn)實。
三星電子存儲部門新事業(yè)企劃組組長 Choi Jang-seok 稱：“我們看到 HBM 架構(gòu)正在發(fā)生巨大變化。我們的許多客戶正在從傳統(tǒng)的通用 HBM 轉(zhuǎn)向定制產(chǎn)品。”
他補充道：“定制 HBM 將在 PPA（IT之家注：性能 Performance、功耗 Power 和面積 Area）方面提供與標準產(chǎn)品不同的選擇，帶來顯著價值”。
Choi Jang-seok 具體介紹了兩種可能的定制 HBM 形式：
· 不使用現(xiàn)有 2.5D 封裝方案中必需的中介層 (Interposer) 和基礎(chǔ)裸晶 (Base Die)，直接將 HBM 芯片 3D 集成在計算 SoC 上，可簡化從計算芯片到 HBM 的數(shù)據(jù)路徑，降低芯片功耗和占地面積，這類似于之前展示過的 SAINT-D；
▲ 現(xiàn)有 HBM 內(nèi)存封裝集成形式，數(shù)據(jù)流需通過中介層
· 將內(nèi)存的 I/O 接口和控制器轉(zhuǎn)移到 HBM 內(nèi)存的 Base Die 上，為計算芯片留出更多用于邏輯電路的空間。
Choi Jang-seok 還提到三星電子正在開發(fā)單堆棧達 48GB 的大容量 HBM4 內(nèi)存，預(yù)計明年投產(chǎn)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。