10 月 22 日消息，韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子本月首次開發(fā)出 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存 Good Die 良品晶粒，公司內(nèi)部對此給予積極評價。

不過三星的 1c nm DRAM 量產(chǎn)開發(fā)尚需一段時日，首批產(chǎn)品良率不足一成。產(chǎn)能方面，三星電子計劃在今年底前建成第一條 1c nm DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線。

▲ 三星電子 HBM 內(nèi)存

參考以往報道，三星電子下代 HBM 內(nèi)存 HBM4 預計將基于 1c nm DRAM，以期通過制程優(yōu)勢追趕在 HBM3E 量產(chǎn)供應上更為快速的 SK 海力士與美光兩大對手，奪回在 HBM 領(lǐng)域的市場份額。

根據(jù)行業(yè)以往慣例，每代 DRAM 制程多首先應用于 DDR 通用內(nèi)存，然后逐漸擴展到 LPDDR，最終再在對 DRAM 良率與性能要求嚴苛的 HBM 上使用。

不過考慮到 1c nm DRAM 世代首臺產(chǎn)線直到今年底才會建成，全面量產(chǎn)最早也需要到 2025 上半年，而此前消息稱三星電子 HBM4 將于 2025 年底量產(chǎn)，這意味著三星很可能在 1c nm 上打破常規(guī)順序，對該 DRAM 制程的良率與性能爬坡速度提出了更高要求。