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SEMI報(bào)告顯示HBM滲透率達(dá)25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求
發(fā)表于：8/13/2025 9:10:59 AM
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傳三星12層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：8/13/2025 9:03:31 AM
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美光直言定制HBM內(nèi)存將在HBM4E時(shí)代正式落地
發(fā)表于：8/12/2025 10:58:20 AM
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卡住AI脖子 HBM成韓國(guó)出口王牌
發(fā)表于：8/12/2025 9:13:40 AM
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
發(fā)表于：8/12/2025 9:05:36 AM
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SK海力士預(yù)言HBM市場(chǎng)未來(lái)十年年增30%
發(fā)表于：8/11/2025 10:30:45 AM
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SK海力士HBM4定價(jià)曝光 較HBM3E溢價(jià)最高70%
發(fā)表于：8/7/2025 11:07:44 AM
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三星DDR4停產(chǎn)時(shí)間延后至2026年底
發(fā)表于：8/7/2025 9:13:50 AM
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NEO半導(dǎo)體公布X-HBM架構(gòu)概念
發(fā)表于：8/6/2025 1:52:38 PM
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三星計(jì)劃大幅降低HBM3e價(jià)格以吸引英偉達(dá)
發(fā)表于：8/1/2025 8:41:58 AM
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2025Q2全球半導(dǎo)體硅片出貨面積同比增長(zhǎng)9.6%
發(fā)表于：7/31/2025 2:29:15 PM
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消息稱三星2018年錯(cuò)失與英偉達(dá)CUDA綜合深度合作良機(jī)
發(fā)表于：7/23/2025 11:52:17 AM
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消息稱三星將在本月向AMD與英偉達(dá)等提供HBM4樣品
發(fā)表于：7/22/2025 11:31:00 AM
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傳三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量產(chǎn)
發(fā)表于：7/21/2025 8:58:00 AM
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傳英偉達(dá)今年將在AI產(chǎn)品中部署80萬(wàn)個(gè)SOCAMM內(nèi)存模塊
發(fā)表于：7/16/2025 9:39:20 AM
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LG電子啟動(dòng)混合鍵合設(shè)備開(kāi)發(fā)追逐未來(lái)HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)
發(fā)表于：7/14/2025 11:39:47 AM
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銷路不佳 三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半
發(fā)表于：7/7/2025 2:25:00 PM
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2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將突破5萬(wàn)億日元
發(fā)表于：7/4/2025 5:34:00 PM
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英特爾下代AI芯片將采用SK海力士HBM4
發(fā)表于：7/2/2025 2:23:56 PM
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HBM內(nèi)存價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來(lái)
發(fā)表于：7/2/2025 9:35:38 AM
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美光披露其對(duì)美國(guó)2000億美元投資計(jì)劃細(xì)節(jié)
發(fā)表于：7/2/2025 8:52:25 AM
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消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：6/27/2025 1:21:39 PM
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美光最新一季HBM營(yíng)收環(huán)比大漲50%
發(fā)表于：6/27/2025 9:06:07 AM
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英偉達(dá)在SK海力士HBM內(nèi)存銷售額占比降至80%
發(fā)表于：6/25/2025 11:12:01 AM
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SK海力士已向英偉達(dá)小批量供應(yīng)HBM4
發(fā)表于：6/20/2025 2:59:12 PM
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AMD發(fā)布CDNA 4架構(gòu)
發(fā)表于：6/19/2025 1:41:50 PM
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亞馬遜AWS新一代AI芯片Trainium3搭載144GB HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：6/18/2025 10:01:00 AM
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亞馬遜攜手SK部署6萬(wàn)顆AI GPU搭建韓國(guó)最大AI數(shù)據(jù)中心
發(fā)表于：6/18/2025 8:57:22 AM
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三星獲得AMD MI350系列HBM3E訂單
發(fā)表于：6/17/2025 1:37:03 PM
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SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)
發(fā)表于：6/17/2025 1:22:57 PM
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