8 月 6 日消息，3D 存儲器 IP 企業 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高帶寬內存架構概念，宣稱可實現 32000-bit 的超高位寬和 512Gb 的單層容量。

X-HBM 的兩大技術基礎是超高密度 I/O 通道和 NEO 此前提出的 X-DRAM 高容量 3D 內存。

該企業宣稱可通過 0.5μm (500nm) 間距超精細混合鍵合在 HBM 所需 DRAM Die 上創造 32000-bit 超寬 I/O，而目前即將進入商業化的 HBM4 內存也僅有 2048-bit。

而在容量方面，NEO Semiconductor 稱其現有技術可通過 300 層堆疊技術在單層 DRAM Die 上實現 300Gb 容量，這已經是當下 HBM 領域所用 24Gb Die 的 12.5 倍。而未來 X-HBM 中的單 Die 將可實現 500+ 層陣列堆疊，單 Die 容量隨之提升到 512Gb (64GB)。

NEO Semiconductor 稱按照傳統的 2D DRAM HBM 技術演進，到 2038 年的 HBM8 才能實現 16384-bit I/O 和 80Gb 單 Die 容量，而基于 3D DRAM 的 X-HBM 將顯著加速存儲發展進程，助推 AI 算力飛躍。