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NEO半導體公布X-HBM架構概念

位寬16倍于當代HBM4內存
2025-08-06
來源:IT之家
關鍵詞: HBM NEO 存儲 內存架構

8 月 6 日消息,3D 存儲器 IP 企業 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高帶寬內存架構概念,宣稱可實現 32000-bit 的超高位寬和 512Gb 的單層容量。

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X-HBM 的兩大技術基礎是超高密度 I/O 通道和 NEO 此前提出的 X-DRAM 高容量 3D 內存。

該企業宣稱可通過 0.5μm (500nm) 間距超精細混合鍵合在 HBM 所需 DRAM Die 上創造 32000-bit 超寬 I/O,而目前即將進入商業化的 HBM4 內存也僅有 2048-bit。

而在容量方面,NEO Semiconductor 稱其現有技術可通過 300 層堆疊技術在單層 DRAM Die 上實現 300Gb 容量,這已經是當下 HBM 領域所用 24Gb Die 的 12.5 倍。而未來 X-HBM 中的單 Die 將可實現 500+ 層陣列堆疊,單 Die 容量隨之提升到 512Gb (64GB)。

NEO Semiconductor 稱按照傳統的 2D DRAM HBM 技術演進,到 2038 年的 HBM8 才能實現 16384-bit I/O 和 80Gb 單 Die 容量,而基于 3D DRAM 的 X-HBM 將顯著加速存儲發展進程,助推 AI 算力飛躍。


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