8月18日消息，半導體公司NEO Semiconductor近日宣布推出3D X-AI芯片技術，被設計用于取代高帶寬內存(HBM)中的現有DRAM芯片，以提升人工智能處理性能并顯著降低能耗。
3D X-AI芯片集成了8000個神經元電路，這些電路直接在3D DRAM中執(zhí)行AI處理任務，實現了AI性能加速達到100倍。
與此同時，由于大幅減少了數據傳輸需求，該芯片的功耗降低了99%，有效降低了數據總線的功耗和發(fā)熱問題。
NEO Semiconductor的這一創(chuàng)新還帶來了8倍的內存密度，其3D X-AI芯片包含300個DRAM層，支持運行更大規(guī)模的AI模型。
該公司此前已宣布全球首款3D DRAM技術，而3D X-AI芯片則是在此基礎上的進一步創(chuàng)新，通過類似HBM的堆疊封裝，實現了每芯片高達10 TB/s的AI處理吞吐量。
NEO Semiconductor創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu指出，當前AI芯片架構中數據存儲與處理的分離導致了性能瓶頸和高功耗問題。
3D X-AI芯片通過在每個HBM芯片中執(zhí)行AI處理，顯著減少了HBM和GPU之間傳輸的數據量，從而提高性能并降低功耗。
行業(yè)分析師Jay Kramer認為，3D X-AI技術的應用將加速新興AI用例的開發(fā)，并推動新用例的創(chuàng)造，為AI應用創(chuàng)新開啟新時代。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。