EDA與制造相關文章 美光獲得美國至多61.4億美元直接補貼和75億美元貸款 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布，根據雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據《芯片與科學法案》向美光提供至多 61.4 億美元 發表于：2024/4/26 臺積電宣布背面供電版N2制程2025下半年向客戶推出 4 月 25 日消息，臺積電在近日公布的 2023 年報中表示，其背面供電版 N2 制程節點定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實現正式量產。 臺積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術實現 —— 納米片（Nanosheet）結構，在性能和能效方面都提升一個時代，預計于 2025 年啟動量產。 而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運算相關應用”，將在標準版 N2 后投入商用。 發表于：2024/4/26 SK海力士將在年內推出1bnm 32Gb DDR5內存顆粒 SK 海力士將在年內推出 1bnm 32Gb DDR5 內存顆粒 發表于：2024/4/26 臺積電公布先進工藝進展：N3P 制程今年下半年量產 4 月 25 日消息，臺積電在 2023 年報中公布了包括先進制程和先進封裝在內的業務情況 發表于：2024/4/26 臺積電系統級晶圓技術將迎重大突破 4月26日消息，臺積電在系統級晶圓技術領域即將迎來一次重大突破。 臺積電宣布，采用先進的CoWoS技術的芯片堆疊版本預計將于2027年全面準備就緒。這一技術的出現，標志著臺積電在半導體制造領域的又一次重要創新。 發表于：2024/4/26 SK海力士：12層堆疊HBM3E開發三季度完成 SK 海力士：12 層堆疊 HBM3E 開發三季度完成，下半年整體內存供應可能面臨不足 發表于：2024/4/26 消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合 4 月 24 日消息，據韓媒 ETNews 報道，三星電子正探索將混合鍵合技術用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動端處理器。 發表于：2024/4/25 臺積電宣布A16芯片制造技術將于2026年量產 臺積電宣布A16芯片制造技術將于 2026 年量產，劍指芯片性能王座 發表于：2024/4/25 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 SK海力士計劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 發表于：2024/4/25 美國政府近日宣布斥資110億美元設立研發中心 4 月 25 日消息，美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當前約 798.6 億元人民幣），設立專門的研發中心，推進半導體領域的相關研究。 發表于：2024/4/25 消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協議 4 月 24 日消息，根據韓媒 Bridge Economy 報道，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的 HBM3E 供貨合同。 發表于：2024/4/24 消息稱SK海力士HBM4內存基礎裸片有望采用臺積電7nm制程 消息稱 SK 海力士 HBM4 內存基礎裸片有望采用臺積電 7nm 制程 發表于：2024/4/24 英偉達將投資2億美元在越南建AI工廠 英偉達與越南科技巨頭 FPT 達成合作，將投資 2 億美元共建 AI 工廠 發表于：2024/4/24 臺積電：晶圓廠設備恢復率已超過70% 23日地震 臺積電：晶圓廠設備恢復率已超過70% 發表于：2024/4/24 羅姆集團旗下SiCrystal與意法半導體新簽協議 2024 年 4月22，中國 – 羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，繼續擴大合作。 發表于：2024/4/23 ?…919293949596979899100…?
