EDA與制造相關文章 SK海力士將集成3D檢測單元以提升12層HBM3E的良率和產量 10月31日消息，據BusinessKorea報道，繼今年9月SK海力士宣布領先全球量產12層堆疊的HBM3E之后，隨著AI 市場對于SK 海力士的 12 層 HBM3E 需求的大幅增長，促使SK海力士計劃在HBM中集成 3D 檢測單元，以提升產量和良率。 報道稱，SK Hynix 已經收到了英偉達等 HBM 主要客戶的請求，希望以更快的速度和更大的供應量提供HBM3E 12 層產品。但是，SK 海力士在從晶圓到HBM芯片的切割過程中遇到了障礙，因為該工藝在增加四層后容易造成不必要的損壞。對此，SK海力士計劃通過整合 3D 檢測單元，來大幅提高良率和生產能力。如果評估完成，Nextin 的設備很有可能被引入HBM3E 12 層量產線。 發表于：2024/11/1 三星半導體業務三季度獲利環比大跌40% 三星半導體業務三季度獲利環比大跌40%！ 發表于：2024/11/1 AI技術賦能EDA平臺促IC設計“提質增效” 日前，西門子EDA年度技術峰會“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功舉辦，西門子EDA Silicon Systems首席執行官 Mike Ellow親臨現場，發表了題為“激發想象力——綜合系統設計的新時代”的主旨演講，闡述了西門子EDA如何應用AI技術不斷推動產品優化，讓IC設計“提質增效”。 發表于：2024/10/31 三大內存原廠將于20層堆疊HBM5全面應用混合鍵合工藝 三大內存原廠將于 20 層堆疊 HBM5 全面應用混合鍵合工藝 發表于：2024/10/31 消息稱三星電子2025年初引進其首臺ASML High NA EUV光刻機 10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當地時間昨日報道稱，三星電子已決定 2025 年初引進其首臺 ASML High NA EUV 光刻機，正式同英特爾、臺積電展開下代光刻技術商業化研發競爭。 三星電子此前同比利時微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯手建立的 High NA EUV 光刻實驗室進行了對 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機臺將加速三星的研發進程。 發表于：2024/10/31 傳OpenAI攜手博通及臺積電打造自研AI芯片 10月30日消息，據路透社獨家引述未具名消息人士報導稱，人工智能（AI）技術大廠OpenAI野心勃勃的晶圓代工廠建設計劃已經暫時擱置，目前正與博通（Broadcom）和臺積電合作打造自研AI芯片，以支持自研AI大模型。此外，OpenAI還在采購英偉達（NVIDIA ）、AMD芯片，以滿足其高漲的基礎設施建設需求。 發表于：2024/10/31 傳臺積電已取消對英特爾的6折優惠 10月30日消息，據路透社29日引述未具名消息人士報導稱，原本在數年前臺積電與英特爾之間的關系良好，當時英特爾將部分芯片交由臺積電代工，臺積電向英特爾提供了高達6折的折扣。但是，隨著英特爾CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”戰略，開始發展晶圓代工業務，這也使得臺積電取消了對英特爾的折扣優惠。 報道稱，基辛格近年來忙于恢復英特爾的制造能力，卻疏于維護與臺積電的關系。甚至是在2021年5月，基辛格還公開表示：“你不會想把所有雞蛋全放在臺灣晶圓廠這個籃子里”。同年12月，他在鼓吹政府投資美國芯片制造商時，還表示“臺灣不是一個穩定之處”。 發表于：2024/10/31 世芯電子宣布成功流片2nm測試芯片 10月30日消息，近日，高性能 ASIC 設計服務廠商世芯電子（Alchip）發布新聞稿稱，它已經成功流片了一款 2nm 測試芯片，預計明年第一季度將公布結果。目前，世芯正在與客戶積極合作開發高性能 2nm ASIC。 發表于：2024/10/31 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 發表于：2024/10/31 三星前員工涉嫌向韓國泄露國產內存秘密被中國警方逮捕 據多家媒體報道，韓國駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留。 這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據該法逮捕韓國人的案件。 報道稱，A某現居安徽省合肥市，在當地一家半導體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導體部門擔任離子注入技術員二十余年，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內存芯片制造商CXMT，當時該公司首次招募了10 名韓國半導體專業人員。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導體公司任職。 發表于：2024/10/31 德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規模，產能提升至原來的四倍 中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 （GaN） 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，加上德州儀器現有 GaN 制造產能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產能將提升至原來的四倍。 發表于：2024/10/31 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發表于：2024/10/30 消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。 三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。 發表于：2024/10/30 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發表于：2024/10/30 商務部回應歐盟對華電動汽車反補貼調查終裁 10 月 30 日消息，從商務部官網獲悉，商務部新聞發言人就歐盟公布對華電動汽車反補貼調查終裁結果答記者問。 發表于：2024/10/30 ?…45464748495051525354…?
