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愛(ài)發(fā)科發(fā)布多款半導(dǎo)體制造利器，引領(lǐng)先進(jìn)制程技術(shù)革新

創(chuàng)新技術(shù)賦能先進(jìn)制造，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)效率革命 2025年3月27日，Semicon China 2025期間，全球領(lǐng)先的真空設(shè)備制造商愛(ài)發(fā)科集團(tuán)正式推出三款面向先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心設(shè)備：多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX、針對(duì)12英寸晶圓的集群式先進(jìn)電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H。此次發(fā)布的產(chǎn)品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心設(shè)計(jì)理念，覆蓋晶圓制造、化合物半導(dǎo)體及封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與產(chǎn)能升級(jí)。多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX：靈活智造，釋放產(chǎn)能極限 ENTRON-EXX以“靈活布局”、“高效生產(chǎn)”、“智能運(yùn)維”三大特性重新定義薄膜沉積工藝： ENTRON-EXX適用于半導(dǎo)體邏輯芯片、存儲(chǔ)器（包括DRAM、NAND及新一代非易失性存儲(chǔ)器）以及封裝等各類(lèi)尖端產(chǎn)品的生產(chǎn)。

發(fā)表于：3/28/2025

消息稱(chēng)三星電子DS部門(mén)將以Palantir AI技術(shù)優(yōu)化半導(dǎo)體制造工藝

由于技術(shù)機(jī)密在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中起到核心作用，芯片企業(yè)通常不愿意對(duì)外提供自身數(shù)據(jù)，以防止泄密事件的發(fā)生。三星 DS 部門(mén) 2024 年早期引入生成式 AI 服務(wù)時(shí)就放棄了同微軟、谷歌的合作。而 DS 部門(mén)之所以選擇在 2024 年底導(dǎo)入 Palantir 的 AI 分析平臺(tái)，除 Palantir 對(duì)不保存客戶(hù)數(shù)據(jù)的承諾、相關(guān)數(shù)據(jù)服務(wù)器設(shè)在三星電子內(nèi)部這兩項(xiàng)保密性?xún)?yōu)勢(shì)外，另一大原因就是其在晶圓代工和存儲(chǔ)制造兩端都面臨巨大競(jìng)爭(zhēng)壓力。

發(fā)表于：3/28/2025

中芯國(guó)際2024年凈利37億元同比下滑23.3%

3月27日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布了2024財(cái)年全年財(cái)報(bào)。報(bào)告期內(nèi)，銷(xiāo)售收入為578億元，同比增長(zhǎng)27.7%，創(chuàng)歷史新高；毛利率18.6%，產(chǎn)能利用率 85.6%。歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為37億元，同比下滑了23.3%。每股收益為0.46元。

發(fā)表于：3/28/2025

英偉達(dá)：GAA工藝或僅帶來(lái)20%性能提升

3 月 27 日消息，據(jù) EE Times 報(bào)道，英偉達(dá)（Nvidia）首席執(zhí)行官黃仁勛（Jensen Huang）在近期 GTC 大會(huì)的一場(chǎng)問(wèn)答環(huán)節(jié)中表示，依賴(lài)全環(huán)繞柵極（Gate-All-Around, GAA）晶體管的下一代制程技術(shù)可能會(huì)為公司處理器帶來(lái)大約 20% 的性能提升。然而他同時(shí)強(qiáng)調(diào)，對(duì)于英偉達(dá)的 GPU 而言，最主要的性能飛躍源于公司自身的架構(gòu)創(chuàng)新以及軟件層面的突破。

發(fā)表于：3/28/2025

SK海力士：客戶(hù)搶在“特朗普芯片關(guān)稅”前下單

全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商韓國(guó)SK海力士周四表示，一些客戶(hù)已提前下單，以應(yīng)對(duì)美國(guó)可能征收的半導(dǎo)體新關(guān)稅。 SK海力士全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)主管Lee Sang-rak在公司年度股東大會(huì)上表示，“提前下單”效應(yīng)以及客戶(hù)庫(kù)存的減少共同促成了近期較為有利的市場(chǎng)狀況。

發(fā)表于：3/28/2025

Intel分享封裝技術(shù)方面的最新成果與思考

說(shuō)起芯片制造，大家都知道制程工藝的重要性，這是芯片行業(yè)的根基，不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜，提升空間越來(lái)越小，而人們對(duì)于芯片性能的追求是永無(wú)止境的，尤其是進(jìn)入新的AI時(shí)代之后。這個(gè)時(shí)候，封裝技術(shù)的重要性就愈發(fā)凸顯了，不但可以持續(xù)提高性能，更給芯片制造帶來(lái)了極大的靈活性，可以讓人們進(jìn)化隨心所欲地打造理想的芯片，滿(mǎn)足各種不同需求。Intel作為半導(dǎo)體行業(yè)龍頭，半個(gè)多世紀(jì)以來(lái)一直非常重視封裝技術(shù)，不斷推動(dòng)演化。

發(fā)表于：3/28/2025

英特爾前CEO：臺(tái)積電巨額投資難振興美國(guó)芯片制造

據(jù)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，英特爾前CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)在接受采訪時(shí)表示，臺(tái)積電承諾在美國(guó)額外投資1000億美元建設(shè)先進(jìn)芯片制造工廠，這對(duì)于美國(guó)恢復(fù)其全球芯片制造領(lǐng)導(dǎo)地位的幫助不大。

發(fā)表于：3/28/2025

PCB上的三防漆有什么用？

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電路板是不可或缺的核心組件。然而，電路板常常面臨著來(lái)自各種惡劣環(huán)境的挑戰(zhàn)，如化學(xué)物質(zhì)的侵蝕、高溫高濕、震動(dòng)和塵埃等。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，三防漆應(yīng)運(yùn)而生，成為保護(hù)電路板及其相關(guān)設(shè)備的重要涂層材料。

發(fā)表于：3/28/2025

SEMI：2025年全球晶圓廠設(shè)備投資將增至1100億美元

3月26日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布報(bào)告稱(chēng)，預(yù)計(jì)2025年全球晶圓廠設(shè)備支出將同比增長(zhǎng)2%，達(dá)到1,100億美元。預(yù)計(jì)2026年全球晶圓廠設(shè)備支出有望同比大幅增長(zhǎng)18%，達(dá)到1,300億美元。 SEMI認(rèn)為，隨著人工智能（AI）需求不斷增長(zhǎng)，推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)擴(kuò)張，以及邊緣設(shè)備對(duì)于AI的部署，提升了對(duì)于云端及邊緣AI芯片和存儲(chǔ)芯片的需求，帶動(dòng)了晶圓廠設(shè)備支出增長(zhǎng)。

發(fā)表于：3/27/2025

2025年1-2月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額同比大漲31%

3月27日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，2025年2月份日本制半導(dǎo)體制造設(shè)備銷(xiāo)售額（3個(gè)月移動(dòng)平均值、包含出口）為4,120.65億日元，同比大漲29.8%，連續(xù)第14個(gè)月呈現(xiàn)增長(zhǎng)，增幅連續(xù)11個(gè)月達(dá)2位數(shù)百分比（10%以上）水準(zhǔn)，月銷(xiāo)售額連續(xù)第16個(gè)月突破3,000億日元，連續(xù)4個(gè)月高于4,000億日元，僅低于2024年12月的4,433.64億日元和2025年1月的4,167.90億日元，創(chuàng)1986年開(kāi)始進(jìn)行統(tǒng)計(jì)以來(lái)歷史第3高紀(jì)錄。

發(fā)表于：3/27/2025

消息稱(chēng)英偉達(dá)考慮找英特爾代工游戲GPU

3 月 26 日消息，據(jù) GuruFocus 報(bào)道，英偉達(dá)正在考慮使用英特爾代工服務(wù)來(lái)制造面向游戲玩家的 GPU。瑞銀分析師蒂莫西?阿庫(kù)里（Timothy Arcuri）表示，如果英特爾贏得英偉達(dá)的訂單，這將是英特爾代工服務(wù)的重大勝利，甚至可能成為其業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

發(fā)表于：3/27/2025

臺(tái)積電SoIC產(chǎn)能將倍增

發(fā)表于：3/27/2025

薄晶圓工藝興起

從平面SoC向3D-IC和先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號(hào)傳輸所需的距離以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)所需的能量。對(duì)超薄晶圓有需求的市場(chǎng)正在不斷擴(kuò)大。一個(gè)由12個(gè)DRAM芯片和一個(gè)基礎(chǔ)邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應(yīng)用組裝扇出型晶圓級(jí)封裝以及先進(jìn)的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關(guān)鍵作用，而這些人工智能應(yīng)用的增長(zhǎng)速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對(duì)輕薄手機(jī)、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒(méi)有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：3/27/2025

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī) Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級(jí)）。

發(fā)表于：3/27/2025

北方華創(chuàng)進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)

3月26日，在SEMICON China 2025大會(huì)上，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC 313。此舉標(biāo)志著北方華創(chuàng)正在半導(dǎo)體核心裝備的戰(zhàn)略布局上又邁出了重要一步，基本覆蓋了除光刻之外的所有半導(dǎo)體前道制造設(shè)備。

發(fā)表于：3/27/2025