EDA與制造相關(guān)文章 Intel 1000億美元巨型晶圓廠宣布建設(shè)周期延期五年 3月2日消息，Intel近日調(diào)整了位于俄亥俄州New Albany的晶圓廠的建設(shè)周期規(guī)劃，比原計劃向后推遲至少5年，要到下一個十年才能看到了。 Intel在俄亥俄州的新工廠于2022年開工建設(shè)，分為兩個階段，一期工程Mod 1最初計劃2025年建成，之后推遲到了2027-2028年，現(xiàn)在進一步推遲到了2030年完工，而投產(chǎn)時間在2030-2031年。 二期工程Mod 2的最新計劃是2031年完工，2032年投產(chǎn)。 發(fā)表于：2025/3/3 國產(chǎn)EDA大廠芯華章官方回應(yīng)人事大地震 芯片之母！國產(chǎn)EDA大廠芯華章大地震：CEO、CTO、COO全部換人 官方回應(yīng) 發(fā)表于：2025/3/3 美光宣布 1γ DRAM 開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計算需求 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — 美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。 發(fā)表于：2025/2/28 國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?；慨a(chǎn)線正式通線 2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計項目將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)，這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?；慨a(chǎn)線，項目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)后每周可以生產(chǎn)約1萬片車規(guī)級晶圓。 發(fā)表于：2025/2/28 2024年四季度全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長9.9% 2月27日消息，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce 最新調(diào)查顯示，2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，環(huán)比增長9.9%。由于服務(wù)器DDR5合約價上漲，加上HBM集中出貨，全球前三大DRAM廠商營收皆持續(xù)環(huán)比增長。平均銷售單價方面，多數(shù)應(yīng)用合約價皆反轉(zhuǎn)下跌，僅美系CSP增加采購大容量服務(wù)器DDR5，成為支撐價格繼續(xù)上漲的主因。 分析各DRAM供應(yīng)商2024年第四季營收狀況，三星營收環(huán)比增長5.1%達(dá)112.5億美元，盡管市占微幅下滑至39.3%，仍維持排名第一。由于PC OEM及手機業(yè)者執(zhí)行庫存去化，LPDDR4及DDR4出貨快速萎縮，加上三星去年底才集中出貨HBM產(chǎn)品，第四季位出貨量呈環(huán)比下跌。 發(fā)表于：2025/2/28 傳臺積電擬投資AI芯片廠商FuriosaAI 2月27日消息，據(jù)韓國中央日報報導(dǎo)，晶圓代工龍頭大廠臺積電正在計劃投資韓國人工智能芯片設(shè)計新創(chuàng)公司FuriosaAI。 FuriosaAI公司也于2月27日回應(yīng)稱，與臺積電投資談判自2024年第四季開始，也是FuriosaAI此次融資的一部分，是與Meta達(dá)成最新合并協(xié)議的獨立交易。FuriosaAI與臺積電旗下投資部門臺積電全球（TSMC Global）正在討論投資規(guī)模和條件，但尚未定案。 發(fā)表于：2025/2/28 SkyWater收購英飛凌美國8英寸晶圓廠 當(dāng)?shù)貢r間2025年2月26日，SkyWater公司與英飛凌達(dá)成協(xié)議，收購英飛凌位于美國德克薩斯州奧斯汀的200毫米（8英寸）晶圓廠（“Fab 25”）并簽訂相應(yīng)的長期供應(yīng)協(xié)議。 發(fā)表于：2025/2/28 三菱電機擬在華構(gòu)建工業(yè)機器人完整供應(yīng)鏈 2 月 27 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞今日報道，日本三菱電機將針對工業(yè)機器人等主力的工廠自動化業(yè)務(wù)調(diào)整中國的供應(yīng)鏈。將縮小大部分產(chǎn)品和零部件從日本出口的體制，攜手當(dāng)?shù)仄髽I(yè)，采購低價位產(chǎn)品。鑒于美國新政府的舉措，三菱將盡可能在中國國內(nèi)構(gòu)建完整供應(yīng)鏈。 發(fā)表于：2025/2/28 中國20+nm成熟工藝芯片占全球28％ 2月27日消息，雖然我國在先進半導(dǎo)體工藝方面仍有一定差距，但是說起20nm及以上的成熟工藝，我國就誰也不怕了，憑借龐大的產(chǎn)能和超低的價格大殺四方，直接讓西方企業(yè)惶恐不已。 發(fā)表于：2025/2/28 群聯(lián)電子宣布攜手Lonestar打造月球首座數(shù)據(jù)中心 2月27日消息，今天群聯(lián)電子宣布，將攜手Lonestar共同推動月球任務(wù)“Freedom Mission”，并成功發(fā)射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外殼，結(jié)合群聯(lián)企業(yè)級Pascari SSD的極端環(huán)境耐用特性，打造適應(yīng)太空嚴(yán)峻環(huán)境的儲存解決方案。 發(fā)表于：2025/2/28 消息稱SK海力士HBM4測試良率再創(chuàng)新高 2 月 27 日消息，韓媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）發(fā)布博文，報道稱 SK海力士的第 6 代 12 層堆疊高帶寬內(nèi)存 HBM4 測試良率已達(dá) 70%，為即將到來的量產(chǎn)階段奠定了堅實基礎(chǔ)，也預(yù)示著 SK 海力士在 HBM4 市場競爭中占據(jù)有利地位。 發(fā)表于：2025/2/27 三星計劃到2030年實現(xiàn)1000層NAND 2 月 26 日消息，三星電子 DS 部門 CTO 宋在赫（???）在上周于舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表主題演講，并展示了其晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應(yīng)用等技術(shù)。據(jù)介紹，這些技術(shù)將從 400 層的 NAND 閃存技術(shù)開始應(yīng)用，而且他還提到，“鍵合技術(shù)可用于（在 NAND 區(qū)域）實現(xiàn) 1000 多層（堆疊）”。 發(fā)表于：2025/2/27 美國擬施壓盟友升級對華芯片出口管制 2月26日消息，據(jù)國外媒體報道稱，美國最近與日本和荷蘭會面，討論限制兩國半導(dǎo)體設(shè)備制造商東京電子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麥（ASML）工程師對在華半導(dǎo)體設(shè)備提供維護服務(wù)，以擴大對中國獲取先進技術(shù)的限制。 發(fā)表于：2025/2/26 美光宣布1γ DRAM內(nèi)存開始出貨 2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品。 發(fā)表于：2025/2/26 歐盟宣布向艾邁斯歐司朗提供2.27歐元補貼 2月25日消息，歐盟委員會依據(jù)《歐洲芯片法案》（European Chips Act）已批準(zhǔn)一筆 2.27歐元的補貼資金，以支持艾邁斯歐司朗在奧地利斥資14 億歐元建造半導(dǎo)體后端制造工廠，該后端制造工廠也將向其他歐洲客戶開放。 發(fā)表于：2025/2/26 ?…14151617181920212223…?
