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臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣南京廠大賺800億臺幣

4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達(dá)1650億美元，計(jì)劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進(jìn)工藝，而因?yàn)榉N種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報(bào)，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺積電美國工廠因?yàn)橐恢碧幱谇捌谕顿Y建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計(jì)虧損幾乎達(dá)到400億元新臺幣。

發(fā)表于：4/22/2025

Arm已將Artan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)出售給了Cadence

近日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達(dá)成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)。該業(yè)務(wù)涵蓋標(biāo)準(zhǔn)單元庫、內(nèi)存編譯器以及針對領(lǐng)先代工廠先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強(qiáng)Cadence不斷擴(kuò)展的設(shè)計(jì)IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領(lǐng)先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全I(xiàn)P。

發(fā)表于：4/21/2025

Intel 18A更多細(xì)節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A制程的細(xì)節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計(jì)相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術(shù)設(shè)計(jì)功能和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標(biāo)準(zhǔn) Arm 內(nèi)核子塊上設(shè)法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實(shí)現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實(shí)現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設(shè)計(jì)的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025

長電科技2024年?duì)I收創(chuàng)新高穩(wěn)居全球委外封測第三

4月20日傍晚，國產(chǎn)半導(dǎo)體封測大廠長電科技發(fā)布了2024年度業(yè)績報(bào)告，其營收再創(chuàng)歷史新高，繼續(xù)穩(wěn)居全球球委外封測（OSAT）市場第三，凈利潤也保持了穩(wěn)步的增長。 2024年?duì)I收達(dá)359.62億元，創(chuàng)歷史新高根據(jù)報(bào)告顯示，長電科技2024年?duì)I業(yè)收入約359.62億元，同比增長21.24%，創(chuàng)下了歷史新高；歸屬于上市公司股東的凈利潤約16.1億元，同比增長9.44%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤人民幣15.5 億元，同比增長17.02%。基本每股收益0.9元，同比增長9.76%。

發(fā)表于：4/21/2025

中微董事長尹志堯放棄美籍，恢復(fù)中國籍！

4月17日晚間，中微公司發(fā)布了2024年度財(cái)報(bào)，顯示公司創(chuàng)始人、董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯已放棄美籍，恢復(fù)了中國籍。

發(fā)表于：4/21/2025

先進(jìn)技術(shù)毫無保留供給臺積電美國工廠虧損持續(xù)擴(kuò)大

4月21日消息，臺積電在美國的工廠1年虧損超過了32億元，但依然不改他們努力在這里建廠的目標(biāo)。臺積電公布最新2024年報(bào)，盡管亞利桑那州第一座晶圓廠已開始量產(chǎn)，不過，因量產(chǎn)到出貨認(rèn)列營收有時間落差，子公司TSMC Arizona Corporation 去年虧損擴(kuò)大，從2023 年的109.25 億元新臺幣，擴(kuò)大至2024 年的142.98億元新臺幣（約合32億元+）。

發(fā)表于：4/21/2025

蘋果iPhone 16e自研芯片成本占比已提升至40%

4月19日消息，市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research近日發(fā)布最新報(bào)告稱，蘋果公司最新推出的iPhone 16e來自公司內(nèi)部的元器件在總成本當(dāng)中占比已經(jīng)達(dá)到了40%，遠(yuǎn)高于此前iPhone 16的29%和2022款iPhone SE的31%。

發(fā)表于：4/21/2025

2024年全球智能手機(jī)外包設(shè)計(jì)占比升至44%

研究機(jī)構(gòu)Counterpoint發(fā)布報(bào)告稱，自2017年智能手機(jī)出貨量達(dá)到峰值以來，由ODM廠商進(jìn)行的外包設(shè)計(jì)與制造的模式在全球范圍內(nèi)持續(xù)增長。

發(fā)表于：4/18/2025

Cadence宣布將收購Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)

4 月 17 日消息，EDA 和 IP 巨頭 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r間 16 日宣布已同 Arm 達(dá)成一份協(xié)議，將收購后者的 Artisan 基礎(chǔ) IP 業(yè)務(wù)，這將進(jìn)一步豐富 Cadence 的半導(dǎo)體設(shè)計(jì) IP 產(chǎn)品組合。

發(fā)表于：4/18/2025

據(jù)稱英特爾CEO陳立武已著手精簡管理架構(gòu)

4 月 18 日消息，據(jù)路透社今日報(bào)道，英特爾新任首席執(zhí)行官陳立武已著手精簡管理架構(gòu)，重要芯片部門今后將直接向他本人匯報(bào)。根據(jù)陳立武向員工發(fā)布的備忘錄，英特爾已提拔網(wǎng)絡(luò)芯片負(fù)責(zé)人 Sachin Katti，任命其為首席技術(shù)官，并兼任 AI 負(fù)責(zé)人。這是陳立武上個月接任 CEO 以來推動的首輪重大人事調(diào)整。根據(jù)最新安排，英特爾的數(shù)據(jù)中心與 AI芯片部門，以及個人電腦芯片部門，今后將直接向陳立武匯報(bào)。

發(fā)表于：4/18/2025

臺積電再次否認(rèn)入股英特爾晶圓廠

4月17日，晶圓代工大廠臺積電召開法說會，公布了截至2025年3月31日的第一季財(cái)報(bào)。雖然營收和利潤環(huán)比均出現(xiàn)了小幅下滑，但同比均實(shí)現(xiàn)了大幅增長，也符合之前的業(yè)績指引。在法說會上，臺積電董事長暨總裁魏哲家還首次正面回應(yīng)了“入股英特爾晶圓廠”的傳聞，以及美國特朗普關(guān)稅正的影響。

發(fā)表于：4/18/2025

群創(chuàng)發(fā)聲明否認(rèn)面板級封裝技術(shù)能力不足

4月16日消息，顯示面板大廠群創(chuàng)針對日經(jīng)亞洲（Nikkei Asia）15日涉及群創(chuàng)的技術(shù)能力的報(bào)道，發(fā)布了澄清聲明，否認(rèn)相關(guān)不實(shí)報(bào)道。

發(fā)表于：4/18/2025

半導(dǎo)體制造AI大腦：從CIM1.0到CIM 3.0的中國式躍遷

作為中國本土唯一上線12吋量產(chǎn)產(chǎn)線的工程智能系統(tǒng)提供商,100%國產(chǎn)化多模態(tài)大模型智能制造應(yīng)用領(lǐng)跑者,智現(xiàn)未來給出的“AgentNet驅(qū)動CIM 3.0”的技術(shù)破局路徑,正在重構(gòu)產(chǎn)業(yè)范式。

發(fā)表于：4/17/2025

HBM4內(nèi)存正式標(biāo)準(zhǔn)化 JEDEC發(fā)布JESD270-4規(guī)范

4 月 17 日消息，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會美國弗吉尼亞州當(dāng)?shù)貢r間 16 日宣布，正式推出 HBM4 內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，該規(guī)范為 HBM 的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：4/17/2025

流片地即原產(chǎn)地美國35座主要晶圓廠匯總

日前，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會發(fā)布《關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)品“原產(chǎn)地”認(rèn)定規(guī)則的通知》稱，根據(jù)關(guān)于非優(yōu)惠原產(chǎn)地規(guī)則的相關(guān)規(guī)定，“集成電路”原產(chǎn)地按照四位稅則號改變原則認(rèn)定，即流片地認(rèn)定為原產(chǎn)地。對此，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會建議，“集成電路”無論已封裝或未封裝，進(jìn)口報(bào)關(guān)的原產(chǎn)地以“晶圓流片工廠”所在地為準(zhǔn)進(jìn)行申報(bào)。

發(fā)表于：4/16/2025