EDA與制造相關文章 三星計劃三年內量產V-DRAM 4月28日消息，據韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內量產被稱為次世代內存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產，以挽回“超級差距”的地位。 發表于：4/29/2025 中國臺灣出臺新規：限制臺積電最先進工藝技術出口！ 4月28日消息，據臺媒《經濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進工藝技術出口和半導體對外投資的控制。新的產創條例第22條已經獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執行“N-1”技術限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產節點，并對違規行為進行處罰。不過，該新規的具體實施日期尚未公布。 發表于：4/29/2025 聯電稱與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術明年通過驗證 近日，晶圓代工大廠聯電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術平臺進展順利，預計2026年完成制程開發并通過驗證。聯電還披露了封裝領域進展，晶圓級混合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支持邊緣及云端AI應用。 發表于：4/28/2025 SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4 4月28日消息，據wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。 據SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規模生產，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產品中。 發表于：4/28/2025 TechInsights：中美關稅戰將致2026年全球半導體市場萎縮34% 當地時間4月26日，半導體市場研究機構 TechInsights 發表它對目前美國和中國之間持續存在的“關稅戰爭”對于半導體產業的負面影響的看法。 發表于：4/28/2025 佳能下調2025年光刻機銷量至289臺 4月24日日本股市盤后，相機及光刻機大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財報的同時，下修了2025年度的整體業績預期。 佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。 發表于：4/28/2025 中汽研發布《新能源汽車電安全技術年度報告（2025）》 4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗中心上周發布了《新能源汽車電安全技術年度報告（2025）》（下稱《報告》）。 新能源汽車以“三電”系統為核心，相比傳統燃油汽車，存在更多電安全方面的新問題新挑戰。《報告》指出，新能源汽車行業競爭加劇，部分新技術沒有得到充分驗證就量產上車，為行業發展留下了潛在安全風險隱患。 《報告》中還分析了我國新能源汽車發展現狀、技術發展趨勢，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個維度的 NESTA 電安全技術驗證體系。 發表于：4/28/2025 臺積電升級CoWoS封裝技術 目標1000W功耗巨型芯片 4月25日消息，如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應對，如今正在深入推進CoWoS封裝技術，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標準處理器高出足足40倍。 目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內存芯片整合在一起。 發表于：4/27/2025 臺積電公布N2 2nm缺陷率 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。 臺積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。 發表于：4/27/2025 臺積電A14第二代GAA工藝解讀 A14 工藝：技術亮點深度剖析1、晶體管技術升級：從 FinFET 到 GAAFET 發表于：4/27/2025 傳Intel 18A制程將獲英偉達博通等廠商訂單 4月25日消息，據外媒wccftech報道，英特爾即將量產的最尖端制程工藝Intel 18A在獲得內部產品采用的同時，也將獲得包括英偉達(Nvidia)、博通(Broadcom)在內的幾家ASIC廠商的代工訂單。 發表于：4/25/2025 三星將逐步停產HBM2E 轉向HBM3E和HBM4 DDR4之后 三星將逐步停產HBM2E：轉向HBM3E和HBM4 發表于：4/25/2025 傳統晶體管的極限 臺積電3nm N3P已量產 N3X馬上來 4月24日消息，除了發展N2、A16、A14等采用GAAFET全環繞晶體管的全新工藝，臺積電還在持續挖掘傳統FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節點仍在不斷演進。 發表于：4/24/2025 《芯片戰爭》作者發聲：美國半導體關稅將得不償失 4月23日消息，針對美國特朗普政府在發起全球關稅戰之后，還將計劃對半導體行業加征關稅一事，《芯片戰爭》作者（Chip War）作者米勒（Chris Miller）近日在《金融時報》發文表示，美國此舉的本意可能是加強美國制造，但實際的效果可能適得其反，可能還會加劇企業在海外制造，建議應與日本、韓國、中國臺灣和歐洲合作建立全球芯片產業，讓半導體的生產既可靠、又具效率。 發表于：4/24/2025 臺積電發布SoW-X晶圓尺寸封裝系統 4 月 24 日消息，臺積電 2025 年北美技術論壇不僅公布了最先進的 A14制程，在先進封裝領域也有多項重要信息公布。 發表于：4/24/2025 ?…11121314151617181920…?
