4 月 24 日消息，臺積電 2025 年北美技術(shù)論壇不僅公布了最先進(jìn)的 A14 邏輯制程，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也有多項(xiàng)重要信息公布。

臺積電表示該企業(yè)計(jì)劃在 2027 年量產(chǎn) 9.5 倍光罩尺寸的 CoWoS，從而能夠以臺積電先進(jìn)邏輯技術(shù)將 12 個(gè)或更多的 HBM 堆疊整合到一個(gè)封裝中，這意味著單封裝可容納的芯片面積將相較此前進(jìn)一步提升。

而在更大的晶圓尺寸封裝系統(tǒng)方面，臺積電則帶來了 SoW 系統(tǒng)級晶圓技術(shù)的新版本 SoW-X。該技術(shù)采用不同于 SoW-P 的 Chip-Last 流程（IT之家注：先在晶圓上構(gòu)建中介層再添加芯片），計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)。

臺積還介紹了其它一系列高性能集成解決方案，包括用于 HBM4 的 N12 和 N3 制程邏輯基礎(chǔ)裸晶（Base Die）、運(yùn)用 COUPE 緊湊型通用光子引擎技術(shù)的 SiPh 硅光子整合。

▲ 未來的 HPC / AI 芯片需要復(fù)雜的整合集成

此外臺積電也公布了用于 AI 的新型集成型電壓調(diào)節(jié)器 / 穩(wěn)壓器 IVR。與電路板上的獨(dú)立電源管理芯片 PMIC 相比，IVR 具備 5 倍的垂直功率密度傳輸。