EDA與制造相關文章 ASML前員工竊密案細節曝光 2024年12月，一位ASML前員工（A先生）因涉嫌竊取ASML和恩智浦的商業機密而被荷蘭政府拘留，荷蘭移民局還對其實施了20 年的入境禁令，引發了外界關注。近日荷蘭媒體NRC針對該案件披露了更多的細節，并表示該竊密之舉是為了協助俄羅斯在本土建造一座 28nm 晶圓廠。 發表于：4/7/2025 傳英特爾與臺積電將成立合資企業運營晶圓代工廠 4月4日消，據外媒《The information》報道，兩位參與相關討論的知情人士稱，英特爾與臺積電已經達成了雙方成立合資企業的初步協議，雙方將共同運營英特爾在美國的晶圓廠。 發表于：4/7/2025 科美存儲發布首款100%國產DDR5 RDIMM內存條 過去，在工業存儲領域，中國的發展可謂是凄風苦雨、一波三折。存儲芯片，中國曾高度依賴進口，進口比例曾高達90%，國產存儲芯片市場份額一度下滑至不足4%。同時，工業數據存儲面臨成本、性能、安全、業務等多方面挑戰，如存儲成本高、實時性要求難以滿足、數據安全存在隱患、傳統接口無法滿足業務需求等。 發表于：4/3/2025 緯創宣布投資5000萬美元在美國建廠 4月2日，中國臺灣電子代工大廠緯創發布公告，宣布計劃在美國投資新設子公司，注冊資本為4,500萬美元，并擬于不超過5,000萬美元額度內，取得美國土地及廠房。 緯創表示，在美國投資設立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投資是因業務發展及策略規劃需要。 發表于：4/3/2025 龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項指標符合預期。 龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應用領域、移動終端領域。 發表于：4/3/2025 晶圓代工巨頭先進工藝制程進度一覽 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產。 發表于：4/3/2025 消息稱SK海力士封裝廠產線升級 HBM月產能新增1萬片晶圓 4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當地時間本月 1 日報道稱，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國京畿道利川市的 M10F 工廠的產線改造，該廠從此前負責一般 DRAM 產品的后端處理調整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內存。 消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進和更換了新項目所需的工藝設備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產線已于 3 月底開始批量生產。 發表于：4/3/2025 Rapidus 2027年量產2nm芯片仍面臨三大挑戰 近日，日本經濟產業省宣布，已決定向本土半導體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達到1.7萬億日元，以支持Rapidus實現2027年在日本量產2nm芯片的目標。 發表于：4/3/2025 創意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片 4月2日，先進ASIC廠商創意電子宣布成功完成HBM4控制器與實體層（PHY）半導體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進的N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝技術實現。 發表于：4/3/2025 英特爾18A先進制程已進入風險試產階段 4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁、英特爾代工部門負責人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布，根據已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進的 Intel 18A 邏輯制程已進入風險試產（IT之家注：Risk Production）階段。 發表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計劃2025財年內發布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業計劃在本月內基于已安裝的前端設備啟動中試線，實現 EUV 機臺的啟用并繼續引入其它設備，推進 2nm GAA 先進制程技術的開發。 發表于：4/2/2025 臺積電美國廠全部量產后營收占比將達三分之一 4月1日消息，據英國《金融時報》報道，根據分析師的估算，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比。 發表于：4/2/2025 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議 2025年4月1日，中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議 發表于：4/2/2025 業界預計臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風險性試產 4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產進度遠超預期，樂觀預計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產出8萬塊晶圓。 發表于：4/2/2025 聯電新加坡Fab 12i 晶圓廠擴建落成開業 4月1日，臺系晶圓代工大廠聯電在新加坡舉行擴建新廠開幕典禮，新廠第一期項目將在2026年開始量產，預計將使聯電新加坡Fab 12i廠總產能提升至每年超過100萬片12英寸晶圓。此外，聯電這座新廠也將成為新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供用于通信、物聯網（IoT）、車用和人工智能（AI）創新領域的半導體芯片。 發表于：4/2/2025 ?…17181920212223242526…?
