EDA與制造相關文章 2nm大戰，全面打響 在芯片制造領域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競爭已經全面打響。 發表于：2023/6/28 重磅！江波龍擬購買力成科技（蘇州）有限公司70%股權 江波龍將通過其全資子公司，收購力成科技股份有限公司全資子公司力成科技（蘇州）有限公司70%股權。 發表于：2023/6/27 應用材料公司攜精彩主題演講和成果展示亮相SEMICON China 2023 2023年6月25日，上海——SEMICON China 2023將于6月29日 - 7月1日在上海新國際博覽中心舉辦。同時，中國國際半導體技術大會（CSTIC）2023將在6月26 - 27日在上海國際會議中心舉辦。作為全球領先的半導體和顯示設備供應商，應用材料公司將通過主題演講和論文展示等方式積極參與SEMICON China和CSTIC，內容涵蓋異構集成和功率電子等多個主題。 發表于：2023/6/25 選擇合適的集成度來滿足電機設計要求 如果您正在設計電機驅動應用，以往您可能會使用如雙極結型晶體管 （BJT） 等多個分立式元件來實現電機控制。盡管這種方法通常成本更低，但使用的元件總數更多，占用的布板空間更大，花費的設計時間更長，復雜度也更高。使用多個元件還可能會影響系統可靠性。 發表于：2023/6/16 X-FAB領導歐資聯盟助力歐洲硅光電子價值鏈產業化 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業和大型實體機構在光電子領域的創新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發起一項戰略倡議，旨在推動歐洲半導體和光電子行業獲得更大自主權，從而加強歐洲大陸在關鍵新興領域的制造能力。 發表于：2023/6/15 英飛凌推出簡單易用的 LCC 設計工具，賦能高效 LED 驅動器設計 為了便于工程師的設計，英飛凌（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出了 LCC 設計工具，讓工程師的設計工作變得更快速、更輕松。 發表于：2023/6/15 線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進節點上半導體的性能 由后段制程（BEOL）金屬線寄生電阻電容（RC）造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸（CD）和線間隔，這會導致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關鍵尺寸之間的關系。即使沒有線邊緣粗糙度（LER），該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節點上對金屬線關鍵尺寸進行優化并選擇合適的金屬材料。 發表于：2023/6/12 晶圓代工|臺積電代工報價曝光：3nm制程19865美元，2nm預計24570美元！ 6月8日消息，國外網友Revegnus (@Tech_Reve)在Twitter上曝光據稱是臺積電圓代工的報價單，其中一張圖片資料來源于已經成立了37年的專業的研究機構The Information Network。 發表于：2023/6/9 半導體|228億，意法半導體 x 三安光電，他們在謀劃什么？ 6月7日，意法半導體和三安光電宣布，雙方已簽署協議，將在重慶建立一個新的8吋碳化硅器件合資制造廠，全部建設總額預計約達32億美元（約合人民幣228.32億元） 發表于：2023/6/8 格芯和意法半導體正式簽署法國12英寸半導體晶圓新廠協議 中國，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能豐富產品技術的半導體制造商格芯（GlobalFoundries，簡稱GF；納斯達克證交所代碼：GFS）和服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，雙方于2022年7月公布的將在法國Crolles新建一個高產能半導體聯營廠的合作，現正式完成協議簽署。 發表于：2023/6/7 新思科技與Arm強強聯手，加快下一代移動SoC開發 加利福尼亞州山景城，2023年6月5日——為應對低至2納米的先進制程上高度復雜移動芯片設計挑戰，新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面計算解決方案（TCS23），加強雙方在人工智能增強型設計方面的合作。 發表于：2023/6/5 采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機 近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。 發表于：2023/6/4 中微公司在TechInsights 2023年客戶滿意度調查榜單中位列兩項第一 中國上海，2023年5月19日--中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）宣布在全球技術分析和知識產權服務提供商TechInsights舉辦的2023年客戶滿意度調查（CSS）中榮獲六大獎項，其中在專用芯片制造設備供應商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）和薄膜沉積設備（Deposition Equipment）兩個榜單中位列第一。 發表于：2023/5/30 高性能封裝推動IC設計理念創新 高性能封裝的一個特征在于芯片、封裝功能融合。高性能封裝的出現,使芯片成品制造環節已經與芯片設計和晶圓制造環節密不可分,融為一體。協同設計是高性能封裝的必由之路。 發表于：2023/5/26 算力革命時代，EDA如何破局？ 在金融服務、智能制造、醫療保健以及媒體娛樂等行業的推動下，全球數據呈現爆發態勢。根據IDC Global DataSphere的研究顯示，2020年-2025年，全球數據總量將從59ZB大幅增長至175ZB。其中，中國增速最快且體量最大，預計到2025年數據總量將增至48.6ZB，全球市占比達到27.8%。 發表于：2023/5/26 ?…117118119120121122123124125126…?
