EDA與制造相關(guān)文章 中芯國際市場份額躍升至全球第三 歷史首次！中芯國際躍升至全球第三：僅次于臺積電、三星 發(fā)表于：5/24/2024 臺積電2024年新建七座工廠 3nm產(chǎn)能同比增三倍仍不足 臺積電 2024 年新建七座工廠，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足 發(fā)表于：5/24/2024 臺積電南京廠獲無限期豁免許可 美中貿(mào)易戰(zhàn)從2018年開打，2022年10月開始美國針對出口到中國的半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品祭出管制法規(guī)。 而臺積電南京廠一年期的展延豁免將于5月31日截止，而臺積電也在昨（23）日宣布，已獲美國無限期豁免許可。 2022年10月美方針對出口管制法規(guī)管轄的特定高速運算芯片等，半導(dǎo)體生產(chǎn)的物項輸往特定國家時，采取更嚴(yán)格的出口管制要求。不過三星等韓國半導(dǎo)體廠則獲得在大陸半導(dǎo)體設(shè)備管制的無限期延長豁免，但臺積電南京子公司僅取得美國政府一年豁免，引發(fā)各界關(guān)注。 發(fā)表于：5/24/2024 美光在同存儲企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴 美光在同存儲企業(yè) Netlist 的專利訴訟中敗訴，面臨 4.45 億美元賠償 發(fā)表于：5/24/2024 SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80% 5 月 23 日消息，SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國《金融時報》表示，該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%。 發(fā)表于：5/23/2024 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機 發(fā)表于：5/23/2024 ASML：考慮推出通用EUV光刻平臺 覆蓋不同數(shù)值孔徑 ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺，覆蓋不同數(shù)值孔徑 發(fā)表于：5/23/2024 2024年Gartner Top25供應(yīng)鏈榜單公布 AI 崛起已成定勢：2024 年 Gartner Top 25 供應(yīng)鏈榜單公布，英偉達(dá)首次上榜入圍前十 發(fā)表于：5/23/2024 臺積電：CoWoS和SoIC產(chǎn)能未來三年將增長60%和100% 臺積電：CoWoS 和 SoIC 產(chǎn)能未來三年復(fù)合年增長率將分別達(dá) 60%、100% 發(fā)表于：5/23/2024 三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā) 對標(biāo)臺積電！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā) 發(fā)表于：5/23/2024 ASML暗示可遠(yuǎn)程癱瘓旗下光刻機 5月22日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML聲稱可以遠(yuǎn)程癱瘓旗下售出的光刻機，這引來網(wǎng)友的圍觀。 現(xiàn)在，報道中有給出了更多有趣的細(xì)節(jié)，比如ASML表示可以遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）相應(yīng)機器，包括最先進(jìn)的極紫外光刻機（EUV）。 消息人士稱，EUV需要頻繁維護(hù)，如果沒有ASML提供的備件，這些機器很快就會停止工作。 發(fā)表于：5/22/2024 三星電子計劃2025年完成4F2 VCT DRAM原型開發(fā) 邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā) 發(fā)表于：5/22/2024 三星計劃用第二代3nm爭取英偉達(dá) 5月21日消息，據(jù)媒體報道，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。 但最新報告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。 與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力。 發(fā)表于：5/22/2024 臺積電計劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50% 臺積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會上透露，隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺灣擴(kuò)大產(chǎn)能，臺積電計劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴(kuò)大50%。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，臺積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能，還需要為此新建晶圓廠。臺積電同時公布下一個特殊制程節(jié)點：N4e，一種4nm級超低功耗工藝節(jié)點。 臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運營處副總裁張曉強（Kevin Zhang）表示，“過去臺積電總是對即將建成的晶圓廠進(jìn)行預(yù)先審查再決定，但臺積電很長一段時間以來，第一次一開始就決定興建專為將來特殊工藝設(shè)計的晶圓廠，以滿足未來需求。未來4~5年，臺積電特殊工藝產(chǎn)能將增長至1.5倍，我們將擴(kuò)大制造網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍，以提高整個晶圓廠供應(yīng)鏈的彈性。” 發(fā)表于：5/22/2024 比利時imec宣布牽頭建設(shè)亞2nm制程NanoIC中試線 imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項目將獲 25 億歐元資金支持 發(fā)表于：5/22/2024 ?…979899100101102103104105106…?
