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ASML受限光刻機在華維護問題懸而未決

發(fā)表于：2024/3/29

荷蘭預(yù)留13億歐元挽留光刻機龍頭ASML

3月29日消息，據(jù)國外媒體報道稱，荷蘭政府正積極行動，力求確保光刻機技術(shù)領(lǐng)軍者ASML繼續(xù)扎根本土。根據(jù)荷蘭媒體披露的文件草案，該計劃包括恢復(fù)對技術(shù)移民的稅收減免，并為阿斯麥總部所在地——埃因霍溫地區(qū)的發(fā)展預(yù)留10億至13億歐元資金。 ASML首席執(zhí)行官溫寧克（Peter Wennink）此前曾警告稱，該公司高度依賴熟練的外國勞工，并擔(dān)心荷蘭的商業(yè)環(huán)境正在惡化。

發(fā)表于：2024/3/29

SEMI預(yù)估臺積電英特爾年內(nèi)建成2nm晶圓廠

3 月 28 日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布產(chǎn)業(yè)鏈報告，認為芯片巨頭臺積電和英特爾有望在今年年底之前建成 2 納米晶圓廠。

發(fā)表于：2024/3/28

ASML新款NXE:3800E EUV光刻機引入部分High-NA機型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學(xué)系統(tǒng)的放大倍率，從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。但在掩膜尺寸不變的情況下，增加光學(xué)系統(tǒng)放大倍率本身也會因為曝光場的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍，這使得曝光場僅用減小一半。而為了進一步降低曝光時間，提升吞吐量，有必要提升光刻機載物臺的運動速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺運動系統(tǒng)。

發(fā)表于：2024/3/28

SK海力士：HBM今年銷售額將占整體內(nèi)存逾一成

SK 海力士：HBM 今年銷售額將占整體內(nèi)存逾一成，明年供應(yīng)繼續(xù)緊張

發(fā)表于：2024/3/28

華潤116億成為長電科技實控人

3月27日消息，日前長電科技發(fā)布公告稱，磐石香港擬以116.58億元收購22.54%的股權(quán)，公司實控人將變更為中國華潤。而在本次股份轉(zhuǎn)讓完成前，長電科技無實際控制人，第一大股東和第二大股東分別為大基金和芯電半導(dǎo)體，大基金和芯電半導(dǎo)體分別持有長電科技總股本13.24%和12.79%的股份。轉(zhuǎn)讓完成后，曾經(jīng)的第一大股東大基金持股比例將降至3.5%，第二大股東芯電半導(dǎo)體則是不再持有上市公司股權(quán)。此前為了達成此項事項，長電科技已連續(xù)5個交易日停牌，經(jīng)向上海證券交易所申請，長電科技股票將于今天上午開市起復(fù)牌。截至發(fā)稿時，長電科技股價漲4.35%，總市值達到了527億元人民幣。

發(fā)表于：2024/3/27

SK 海力士回應(yīng)“擬投資40億美元在美建芯片封裝廠”

3 月 27 日消息，《華爾街日報》昨日稱，SK 海力士計劃投資約 40 億美元（當(dāng)前約 289.2 億元人民幣）在美國印第安納州西拉斐特建造一座先進芯片封裝廠，并計劃于 2028 年投產(chǎn)。對此，SK 海力士在一份聲明中表示，公司正審查其在美國投資先進芯片封裝的計劃，但尚未作出決定。

發(fā)表于：2024/3/27

詳解ASML High-NA EUV光刻機

英特爾率先拿到該設(shè)備，無疑會極大地提升其芯片制造能力和效率。光刻機一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。 ASML官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由ASM與imec合作開發(fā)，將于2024年安裝在ASML與imec的聯(lián)合實驗室中，預(yù)計2025年投入量產(chǎn)。另一個由英特爾在2018年訂購， 2023 年 12 月，ASML正式向英特爾交付了首個High-NA EUV 光刻系統(tǒng)——TWINSCAN EXE:5000的首批模塊。

發(fā)表于：2024/3/27

2023年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司

3 月 26 日消息，市場調(diào)查機構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布系列信息圖，報告了 2023 年第 4 季度全球半導(dǎo)體、代工廠份額和智能手機市場份額。信息圖：2023 年第四季度按收入規(guī)模排名的七大半導(dǎo)體公司英特爾英特爾憑借著客戶機計算部門的出色表現(xiàn)（環(huán)比增長 12%），躍居全球半導(dǎo)體市場首位。三星三星受內(nèi)存收入反彈的推動，排名第二，季度收入持平，但面臨移動業(yè)務(wù)疲軟挑戰(zhàn)。英偉達英偉達（NVIDIA）在人工智能服務(wù)器領(lǐng)域的主導(dǎo)地位繼續(xù)支持其半導(dǎo)體收入的增長，因此該公司在 2023 年第四季度排名第三。博通博通（Broadcom）位居第四，主要原因是超大規(guī)模企業(yè)對人工智能數(shù)據(jù)中心和人工智能加速器的需求強勁。 SK 海力士 SK hynix 也受益于內(nèi)存復(fù)蘇，本季度收入連續(xù)增長，排名第五。高通和 AMD 高通（收入不包括 QTL）和 AMD 的營收也實現(xiàn)了連續(xù)增長，分列第 6 和第 7 位。

發(fā)表于：2024/3/27

臺積電3nm獲蘋果英特爾AMD頻頻追單

獲蘋果、英特爾、AMD 頻頻追單，臺積電 3nm 收入大漲

發(fā)表于：2024/3/26

三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據(jù)媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經(jīng)實現(xiàn)了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競爭對手臺積電。除此之外，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產(chǎn)量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進行了改進。然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預(yù)見的未來將繼續(xù)選擇臺積電。本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經(jīng)通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。一位業(yè)內(nèi)人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉(zhuǎn)為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”

發(fā)表于：2024/3/26

SEMI：中國12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備支出將領(lǐng)先全球

據(jù)美國《福布斯》雜志網(wǎng)站24日報道，美國半導(dǎo)體行業(yè)組織國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布的最新報告預(yù)測，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導(dǎo)體工廠設(shè)備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達到300億美元。中國臺灣和韓國緊隨其后。

發(fā)表于：2024/3/26

消息稱臺積電2nm制程設(shè)備安裝加速

據(jù)臺灣《工商時報》消息，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺積電2nm制程加速安裝設(shè)備，臺積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進行設(shè)備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級）架構(gòu)量產(chǎn)暖身，預(yù)計寶山P1、P2及高雄三座先進制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn)，并吸引蘋果、英偉達、AMD及高通等客戶爭搶產(chǎn)能。臺積電對此不發(fā)表評論。

發(fā)表于：2024/3/25

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達成的協(xié)議，這項計劃已獲得進展。

發(fā)表于：2024/3/25

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 3月22日，前臺積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺灣科學(xué)及技術(shù)委員會“科學(xué)、民主與社會研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟安全》國際論壇上表示，中國面對美國對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

發(fā)表于：2024/3/25