《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)

2024-05-23
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 三星 3nm GalaxyS25 臺(tái)積電

5月22日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星將在2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)3nm Exynos處理器,命名為Exynos 2500,由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載。

資料顯示,去年臺(tái)積電率先量產(chǎn)商用3nm制程,由蘋果A17 Pro、M4首批搭載。

時(shí)隔一年時(shí)間,高通、聯(lián)發(fā)科也將擁抱3nm制程,今年下半年,高通驍龍8 Gen4、聯(lián)發(fā)科天璣9400等都將切入臺(tái)積電3nm工藝。

現(xiàn)在三星即將推出3nm芯片Exynos 2500,在3nm制程上,三星率先應(yīng)用了全環(huán)繞柵極工藝(GAA,全稱Gate-All-AroundT),打破了FinFET技術(shù)的性能限制。

具體而言,三星3nm GAA工藝通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高能耗比,同時(shí)通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。

與5nm制程相比,三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%。

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