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SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4
發表于：2025/4/28 11:25:58
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消息稱三星電子HBM4內存邏輯芯片進展較佳
發表于：2025/4/18 10:46:39
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HBM4內存正式標準化 JEDEC發布JESD270-4規范
發表于：2025/4/17 12:28:01
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創意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片
發表于：2025/4/3 9:13:36
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下一代HBM4和HBM4E內存沖擊單顆64GB
發表于：2025/3/21 11:00:52
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SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內存樣品
發表于：2025/3/19 11:25:37
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消息稱SK海力士HBM4測試良率再創新高
發表于：2025/2/27 11:18:08
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2025年全球半導體產業十大看點
發表于：2025/2/10 16:15:52
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消息稱三星電子已將1c nm內存開發良率里程碑推遲半年
發表于：2025/1/21 13:00:00
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三星完成HBM4邏輯基礎裸片設計
發表于：2025/1/6 10:55:19
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三星電子已啟動4nm制程HBM4邏輯芯片試生產
發表于：2025/1/3 15:11:51
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內存量產設備訂購
發表于：2024/12/11 11:39:59
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SK海力士將采用臺積電3nm生產HBM4
發表于：2024/12/5 10:57:17
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消息稱特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發表于：2024/11/21 11:09:01
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消息稱內存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發表于：2024/11/15 11:05:20
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三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案
發表于：2024/11/15 10:15:19
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SK海力士稱英偉達要求其提前6個月供應HBM4
發表于：2024/11/5 11:30:51
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發表于：2024/11/4 13:16:16
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發表于：2024/10/23 11:18:21
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三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片
發表于：2024/9/9 10:18:38
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三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發表于：2024/9/5 8:50:11
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消息稱三星電子以自家4nm先進工藝打造HBM4內存邏輯芯片
發表于：2024/7/16 18:55:00
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英偉達臺積電和SK海力士深化三角聯盟
發表于：2024/7/15 9:07:00
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JEDEC 固態技術協會表示HBM4內存標準即將定稿
發表于：2024/7/12 9:17:00
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三星電子計劃在HBM4世代為客戶開發多樣化定制HBM內存
發表于：2024/7/11 9:15:00
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HBM芯片之爭愈演愈烈
發表于：2024/7/10 9:10:00
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ASMPT與美光聯合開發下一代HBM4鍵合設備
發表于：2024/6/28 8:44:00
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消息稱臺積電協同旗下創意電子拿下SK海力士大單
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU和Vera CPU
發表于：2024/6/3 11:27:44
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SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收
發表于：2024/5/29 8:36:11
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