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泰瑞達(dá)交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)

　　2024年5月21日，中國(guó) 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）今日宣布，與獨(dú)立第三方集成電路測(cè)試服務(wù)企業(yè)偉測(cè)科技共同達(dá)成一項(xiàng)里程碑式結(jié)果，暨順利交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)。

發(fā)表于：2024/5/31

2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽火熱開(kāi)賽

　　2024 年 5 月 30 日，中國(guó)西安訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（以下：NUEDC）組織委員會(huì)在西安交通大學(xué)就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協(xié)議。值此，繼2018年以來(lái)，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽第四屆比賽，正式拉開(kāi)帷幕。

發(fā)表于：2024/5/31

蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程

臺(tái)積電3nm產(chǎn)能被蘋(píng)果等包圓蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程

發(fā)表于：2024/5/31

日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域

日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域：防止技術(shù)外漏 5月30日消息，據(jù)媒體報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近日宣布，將在半導(dǎo)體、先進(jìn)電子零部件、蓄電池、機(jī)床及工業(yè)機(jī)器人、飛機(jī)零部件等五大關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)嵤└鼮閲?yán)格的監(jiān)管措施，以遏制技術(shù)外泄風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)表于：2024/5/31

三星1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年

三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年

發(fā)表于：2024/5/31

三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機(jī)器已停用

5月30日消息，韓國(guó)核安全部門(mén)對(duì)三星電子展開(kāi)了一項(xiàng)重要調(diào)查，調(diào)查起因是該公司在其一家芯片工廠內(nèi)發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。這兩名工人因手指出現(xiàn)“異常”的輻射癥狀被緊急送往醫(yī)院接受專(zhuān)業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細(xì)致的醫(yī)學(xué)檢查。盡管他們的手指呈現(xiàn)輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測(cè)結(jié)果顯示正常。三星電子對(duì)此事件迅速作出反應(yīng)，公開(kāi)承認(rèn)這兩名員工在位于韓國(guó)器興的半導(dǎo)體工廠中“手部意外受到X射線(xiàn)照射”。

發(fā)表于：2024/5/31

ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150%

ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線(xiàn)寬

發(fā)表于：2024/5/31

南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)

南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

發(fā)表于：2024/5/30

消息稱(chēng)SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠

5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進(jìn)，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。據(jù) TheElec，SK Hynix 計(jì)劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產(chǎn)中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 量產(chǎn)工藝。

發(fā)表于：2024/5/30

十銓公布全球首款10GHz DDR5內(nèi)存

5月30日消息，十銓科技(TeamGroup)宣布將在臺(tái)北電腦展2024上展示一系列存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括超高頻DDR5內(nèi)存、超緊湊CAMM2內(nèi)存、超高速PCIe 5.0 SSD，等等。 DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)誕生之初，就有廠商聲稱(chēng)可以做到10GHz(10000MHz)以上的頻率，后來(lái)確實(shí)也能通過(guò)超頻達(dá)到。十銓旗下電競(jìng)品牌T-Force，通過(guò)獨(dú)家超頻技術(shù)，第一次將DDR5內(nèi)存實(shí)際產(chǎn)品的頻率做到了10000MHz！這款名為“Xtreem玄境”的DDR5內(nèi)存采用了2mm厚的鋁合金散熱馬甲，鰭片式設(shè)計(jì)，搭配專(zhuān)業(yè)導(dǎo)熱硅脂，將散熱片與內(nèi)存緊密結(jié)合。外型設(shè)計(jì)則是使用兩片式設(shè)計(jì)的厚實(shí)金屬，并有噴砂表面處理，還配上了極具榮耀象征的T-Force LOGO。有趣的是，十銓提供了粉色、白色兩種配色風(fēng)格。對(duì)于如此強(qiáng)勁的產(chǎn)品，“猛男粉”著實(shí)有點(diǎn)出格了。

發(fā)表于：2024/5/30

依賴(lài)中國(guó)制造：歐洲所有進(jìn)口PCB有65%來(lái)自中國(guó)

5月29日消息，根據(jù)IPC（國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)）的最新研究，歐洲在印刷電路板（PCB）行業(yè)的全球市場(chǎng)份額呈現(xiàn)顯著下滑趨勢(shì)。盡管PCB行業(yè)對(duì)歐洲工業(yè)至關(guān)重要，但過(guò)去20年間，其產(chǎn)能、能力和全球市場(chǎng)份額均有明顯減少。目前，歐盟的PCB產(chǎn)量?jī)H占全球的2%，與其在20世紀(jì)

發(fā)表于：2024/5/30

再獲榮譽(yù)！大聯(lián)大榮獲第七屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)之國(guó)際影響力品牌獎(jiǎng)

　　2024年5月29日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股憑借著在全球市場(chǎng)中卓越的品牌效能和超高的行業(yè)認(rèn)可度，榮獲第七屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)之國(guó)際影響力品牌獎(jiǎng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由深圳電子商會(huì)主辦，旨在表彰近年來(lái)在電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中展現(xiàn)國(guó)際影響力的品牌。此次獲獎(jiǎng)既是對(duì)大聯(lián)大深耕行業(yè)所作貢獻(xiàn)的充分肯定，也承載著對(duì)大聯(lián)大引領(lǐng)中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)邁向國(guó)際舞臺(tái)的重大期許。

發(fā)表于：2024/5/29

定制IP與驗(yàn)證方案為高質(zhì)量芯片設(shè)計(jì)打開(kāi)大門(mén)

　　中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)在最近十年取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，這不僅體現(xiàn)在行業(yè)中出現(xiàn)了一大批成功的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，他們不斷努力使其產(chǎn)品達(dá)到了世界一流的水平，而且還體現(xiàn)在這些領(lǐng)先的中國(guó)企業(yè)已經(jīng)非常善于建立完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，產(chǎn)品進(jìn)入了全球領(lǐng)先的、分布于各個(gè)行業(yè)的品牌廠商（OEM）和設(shè)計(jì)公司，同時(shí)還與各大晶圓代工企業(yè)、包括SmartDV Technologies?這樣的領(lǐng)先硅IP企業(yè)和EDA工具提供商建立了深入的合作關(guān)系。此外，中國(guó)本土的IP和EDA工具提供商也長(zhǎng)足發(fā)展，開(kāi)始和包括我們SmartDV這樣的領(lǐng)先廠商展開(kāi)深度合作，共同支持中國(guó)和全球的客戶(hù)。

發(fā)表于：2024/5/29

多元化增長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁中微公司薄膜設(shè)備新品層出

多元化增長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁，中微公司薄膜設(shè)備新品層出

發(fā)表于：2024/5/29

曝臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm工藝

5月29日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋(píng)果將率先使用這項(xiàng)先進(jìn)工藝。據(jù)爆料，臺(tái)積電2nm首次應(yīng)用了GAA技術(shù)，GAA全稱(chēng)Gate-All-Around，中文名為全環(huán)繞柵極晶體管，其本質(zhì)上是一種新型的晶體管設(shè)計(jì)，可以在更小的制程下提供更好的性能。在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。這可以幫助減少量子隧道效應(yīng)，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。

發(fā)表于：2024/5/29