7 月 10 日消息，工商時報今天報道稱，在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025 年高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆，同比增長 105%。
高帶寬內(nèi)存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，與高性能圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉發(fā)設備（如路由器、交換器）、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI 特殊應用集成電路結合使用，可以大幅減少半導體的功率和面積。
HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒體拆解英偉達 H100 芯片，物料成本約為 3000 美元（注：當前約 21847 元人民幣），其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元（當前約 14565 元人民幣），占比 66%。
三大巨頭現(xiàn)狀
SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商，兩家公司都采用 1beta 納米工藝，并已向英偉達出貨。
集邦咨詢認為采用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證，并于今年年中開始供貨。
三大巨頭擴產(chǎn)計劃
三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L、P2L 和 P3L），以便用于 DDR5 和 HBM。
同時，華城工廠（13/15/17 號生產(chǎn)線）正在升級到 1 α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產(chǎn)能，以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求。
SK 海力士以南韓利川市 M16 產(chǎn)線生產(chǎn) HBM，并著手將 M14 產(chǎn)線升級為 1 α／1 β 制程，以供應 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品。
此外，無錫廠目前正積極將制程由 1y／1z 升級到 1z／1 α，分別用于生產(chǎn) DDR4 及 DDR5 產(chǎn)品。
美光 HBM 前段在日本廣島廠生產(chǎn)，產(chǎn)能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆；長期將引入 EUV 制程（1 γ、1 δ），并建置全新無塵室。
