8月6日消息，據(jù)媒體報道，作為全球最早量產(chǎn)HBM4的存儲器制造商，SK海力士正為AI芯片提供關(guān)鍵解決方案。依托與英偉達(dá)的獨家供應(yīng)鏈關(guān)系及自身技術(shù)領(lǐng)先地位，SK海力士計劃提高HBM4售價，預(yù)計相比HBM3E溢價可能高達(dá)70%。

業(yè)內(nèi)消息指出，今年上半年，SK海力士供應(yīng)給英偉達(dá)的12層堆疊HBM4單價約為500美元，相較同規(guī)格HBM3E（約300美元）高出60%-70%。

這一強(qiáng)勢定價源于其在英偉達(dá)Blackwell Ultra產(chǎn)品組合中近乎壟斷的HBM3E供應(yīng)地位，以及HBM4領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢。更高的價格也反映了新一代HBM制造技術(shù)的復(fù)雜性，特別是其選擇臺積電4nm工藝生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片（Base Die）的成本考量。

面對高利潤HBM市場的激烈爭奪，三星正加速推進(jìn)1cnm DRAM技術(shù)的開發(fā)與量產(chǎn)。吸取過往經(jīng)驗，三星此次策略轉(zhuǎn)向穩(wěn)扎穩(wěn)打：不盲目追求搶先供應(yīng)HBM4，而是聚焦于打造一款能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供應(yīng)的成熟產(chǎn)品，以贏得AMD及英偉達(dá)等客戶的采用，確保長期可靠收益。隨著HBM4時代臨近，頭部廠商間的競爭態(tài)勢預(yù)計將比HBM3/HBM3E時期更為激烈。