目前，我國硅單晶產(chǎn)量大約為3000噸，約為世界總產(chǎn)量的25%，但多為8英寸以下晶體，IC級多晶硅全部依賴進口。國內(nèi)集成電路所用材料的主流仍然為8英寸硅片。
　　目前，世界集成電路的產(chǎn)值近3000億美元，它帶動了產(chǎn)值萬億元以上的電子產(chǎn)品，可以說集成電路已經(jīng)成為世界的支柱產(chǎn)業(yè)。IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為材料業(yè)帶來商機。

    國內(nèi)需求不斷加大

    從硅集成電路發(fā)展趨勢來看，目前國際上硅集成電路已實現(xiàn)65nm～45nm量產(chǎn)，預(yù)計2014年為32nm～28nm，2019年為16nm，2030年硅集成電路的特征尺寸將達到10nm。此后，摩爾定律將失效。
    全球硅單晶的年產(chǎn)量已超過1萬噸，以12英寸為主流產(chǎn)品，2009年已占硅片產(chǎn)量的56%，主要用于45nm、32nm技術(shù)結(jié)點；直徑為18英寸的硅片將在2014年32nm～28nm技術(shù)結(jié)點開始商業(yè)應(yīng)用，現(xiàn)已有樣片試用；更大尺寸(27英寸)的硅片也在籌劃中。
　　目前，我國硅單晶產(chǎn)量大約為3000噸，約為世界總產(chǎn)量的25%，但多為8英寸以下晶體，IC級多晶硅全部依賴進口。國內(nèi)集成電路所用材料的主流仍然為8英寸硅片，市場需求量呈不斷增長趨勢，且伴隨著國家電網(wǎng)、高速鐵路、大型水利工程等一大批項目的開工，以及我國國民經(jīng)濟的高速發(fā)展對制作高電壓、大功率集成電路區(qū)熔硅材料的需求不斷增加，主要體現(xiàn)在4英寸～6英寸區(qū)熔硅片上。在上述廣闊市場的帶動下，國內(nèi)各相關(guān)企業(yè)紛紛對大直徑硅單晶(8英寸～12英寸)進行了深入研究和快速產(chǎn)業(yè)化，力爭滿足市場需求。
　　天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司目前區(qū)熔硅年產(chǎn)量為50余噸，其技術(shù)和產(chǎn)量位居全球第三，是國內(nèi)最大的區(qū)熔硅材料專業(yè)制造企業(yè)。目前正開發(fā)直拉6英寸、8英寸重摻襯底片及擴大大功率器件所需區(qū)熔硅片的生產(chǎn)規(guī)模。

    重大專項帶動材料發(fā)展

　　“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項”中涉及眾多的集成電路材料分項，涵蓋了從生產(chǎn)設(shè)備、材料、器件、軟件設(shè)計、封裝測試等各個方面，特別是在材料方面支撐極大規(guī)模集成電路制備的關(guān)鍵材料，與企業(yè)目前的研究重點和市場方向緊密結(jié)合，因此通過實施這些項目，可使材料企業(yè)得到以下發(fā)展機會：
　　首先，形成具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品。掌握制備集成電路材料的關(guān)鍵核心技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，形成從原料、設(shè)備、人員到應(yīng)用的全面的、成套的工藝。
　　其次，提升企業(yè)自主創(chuàng)新能力。通過實施專項項目，可提高企業(yè)項目管理水平、培養(yǎng)科技創(chuàng)新人才、購置必備的生產(chǎn)和檢測設(shè)備，有效提高企業(yè)自主創(chuàng)新能力。
　　最后，為企業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟效益。以高附加值的創(chuàng)新產(chǎn)品開拓市場，打破國外對技術(shù)和產(chǎn)品的封鎖，不僅能為企業(yè)自身賺取更多利潤，同時也能解決經(jīng)濟社會發(fā)展的重大瓶頸問題，提高國家經(jīng)濟收入。
　　企業(yè)應(yīng)充分利用專項資金，切實加強基礎(chǔ)研究，緊緊圍繞電子信息產(chǎn)品和新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，突出重點，提高集成電路材料企業(yè)自主創(chuàng)新能力；以推動集成電路材料結(jié)構(gòu)升級為主線，以量大面廣的高性能材料為突破口，大力發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)和平臺技術(shù)，積極改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，促進新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展；積極推進科技成果的應(yīng)用和轉(zhuǎn)化。

    應(yīng)從多晶硅原料入手

　　集成電路材料的生產(chǎn)涉及眾多領(lǐng)域，包括多晶硅原料的制備、高精度設(shè)備的制造、高純輔料的制備等。目前限制國內(nèi)集成電路材料發(fā)展的主要因素為多晶硅原料和設(shè)備依靠進口，受國外原料、設(shè)備和技術(shù)的限制。截至目前，我國IC級多晶硅原料還全部依靠進口，太陽能級多晶硅原料也存在產(chǎn)量上的不足，2009年我國多晶硅缺口仍達45%。因此，從多晶硅原料入手，突破傳統(tǒng)多晶硅原料制備工藝，制造出高純度電子級多晶硅原料是發(fā)展集成電路材料的必要支撐條件。
　　從提高硅集成電路的性能價格比來看，增大直拉硅單晶的直徑，仍是今后硅單晶發(fā)展的大趨勢。預(yù)計2014年后，18英寸的直拉硅單晶將投入生產(chǎn)。從進一步縮小器件的特征尺寸，提高硅IC的速度和集成度來看，研制適合于硅納米工藝技術(shù)所需的高純、大直徑和無缺陷硅外延片(包括SOI和應(yīng)變硅等)會成為硅材料發(fā)展的主流。
　　在集成電路材料行業(yè)，我國與世界先進水平的差距短期內(nèi)很難消除，但隨著新材料、新工藝、新理論的快速發(fā)展，我們不妨另辟蹊徑，在未來的生物技術(shù)和材料、納米技術(shù)和材料、量子技術(shù)和材料等技術(shù)領(lǐng)域早早起步，以免在未來的競爭中仍處于劣勢。

    需要政策支持

　　近年來，我國出臺了許多促進電子信息產(chǎn)業(yè)、集成電路及其材料的優(yōu)惠政策，但這些優(yōu)惠政策主要被整機、集成電路、軟件產(chǎn)業(yè)享有。進口原材料關(guān)稅倒掛使國內(nèi)集成電路材料行業(yè)發(fā)展遭遇困難，多晶硅原料出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，國外供應(yīng)商大幅度漲價，進口多晶硅不但價格暴漲，還需繳納進口關(guān)稅。長此以往，不利于國內(nèi)集成電路材料企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
    同時，對集成電路生產(chǎn)所需的各類設(shè)備和其他材料未列入政策優(yōu)惠范圍，這使國產(chǎn)集成電路設(shè)備和材料與國外產(chǎn)品在價格上的優(yōu)勢大大縮小，特別是在附加值較低的半導(dǎo)體材料產(chǎn)品上，這一影響更為明顯，個別國產(chǎn)半導(dǎo)體材料甚至比同類進口產(chǎn)品的價格還要高。這給國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備與材料行業(yè)發(fā)展帶來了極大的阻力。
    針對現(xiàn)有情況和未來發(fā)展，本人對如何發(fā)展該產(chǎn)業(yè)提出如下建議：
    第一，國家應(yīng)組織專家進行集成電路材料方面發(fā)展戰(zhàn)略和規(guī)劃的研究。
    第二，國家應(yīng)加大支持具有技術(shù)實力的企業(yè)發(fā)展。
    第三，建立高校和企業(yè)以市場需求為導(dǎo)向的技術(shù)合作開發(fā)、成果共享的運行機制，避免資源浪費和惡性競爭，整體推進電子信息材料的國產(chǎn)化進程。
    第四，給予稅率優(yōu)惠支持，建議在出口退稅、原材料進口關(guān)稅等方面給予國內(nèi)企業(yè)優(yōu)惠。
    第五，鼓勵企業(yè)橫向兼并、重組，整合上下游產(chǎn)業(yè)鏈。
    相關(guān)部門應(yīng)該共同研究，通力合作，以有限的資源集中投入解決關(guān)鍵性、共性、基礎(chǔ)性問題，共同制定出綜合性的政策和措施，使我國的集成電路產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)、健康發(fā)展。