5月26日，勞倫斯伯克利國家實驗室（Lawrence Berkeley National Laboratory）和加州大學伯克利分校的一組研究人員在Nature Materials雜志上發表了題為“在BaTiO 3中實現超低電壓開關”（Enabling ultra－low－voltage switching in BaTiO3）的最新研究，展示了一種新型的超薄電容器，該技術可以用來開發更加節能的微芯片。

為現代設備提供動力的硅基計算機芯片需要大量的能量才能運行。該研究指出，盡管計算效率不斷提高，但預計到2030年，信息技術將消耗約25％的天然能源。

研究團隊認為，要想降低這種能耗需求，關鍵在于開發可以在更低電壓下工作的微電子器件。有一些應用于存儲器和邏輯器件的非硅材料，被認為擁有有吸引力的特性，或可用于替代目前的硅基器件。但這些非硅材料的常見體積形式，與啟動所需的電壓量與現代電子產品不兼容。如何開發既能在低工作電壓下表現良好，又能封裝到微電子器件中的薄膜替代品，仍然是一個挑戰。

因此，研究團隊合成了一種已被廣泛了解的材料BaTiO3（鈦酸鋇）的薄膜版本以解決這一問題。

BaTiO3在80多年前首次被發現，可用于電子電路、超聲波發生器、換能器甚至聲納的各種電容器。這種材料的晶體對小電場反應迅速，即使去除電場，構成材料的帶電原子的方向也會以可逆但永久的方式發生變化。這提供了一種在邏輯和存儲設備中所需的“0”和“1”狀態之間切換的方法。但此前，仍然需要大于1000毫伏（mV）的電壓來做到這一點。

為了利用這些特性在微芯片中使用，研究團隊開發了一種方法，來制造僅25納米薄的BaTiO3 薄膜。

該研究的領頭人加州大學伯克利分校材料科學與工程教授Lane Martin表示，“我們在大半個世紀前就知道BaTiO3了，40多年前我們就知道如何用這種材料制作薄膜。但到目前為止，還沒有人能制作出一種與批量生產的結構或性能相近的薄膜。”

主要的障礙在于，過去的合成嘗試中薄膜含有較高濃度的“缺陷”（即結構與理想材料不同的點）。濃度過高，會對薄膜的性能產生負面影響。

研究團隊找到了一種可以限制這些缺陷的薄膜生長方法。他們使用了一種稱為脈沖激光沉積（pulsed－laser deposition）的工藝。向BaTiO3陶瓷靶上發射一束強大的紫外線激光，使材料轉變為等離子體，然后將靶材中的原子傳輸到表面上以生長薄膜。通過這個工具，研究人員可以在薄膜生長過程中調節許多旋鈕（knobs），觀察哪些對控制屬性最重要。

Martin表示，他們的方法可以精確控制沉積膜的結構、化學成分、厚度以及與金屬電極的接口。在伯克利實驗室分子鑄造中心的國家電子顯微鏡中心，通過將每個沉積的樣本切成兩半，并使用工具逐個原子觀察其結構，研究人員找到了一個極薄版本，精確模擬了原有結構。

最后，通過在兩個金屬層之間放置一層這樣的BaTiO3薄膜，研究團隊制作出了微型電容器，這種電子元件可以在電路中快速存儲和釋放能量。施加100mV或更低的電壓并測量產生的電流，結果顯示薄膜的極化轉換（polarization switch）在20億分之一秒內完成——與當今計算機訪問內存或執行計算所需的速度相比，具有競爭力。

目前常見的技術通常需要在500到600mV環境下工作，而薄膜版本只需要50到100mV 或更低的環境。總之，這些測量結果證明了電壓和極化穩健性（polarization robustness）的成功優化，這兩項在薄材料中往往是一組需要權衡（trade－off）的指標。

接下來，該團隊計劃將材料縮小到更薄，使其與計算機中的真實設備兼容，并研究它在這些微小尺寸下的行為方式。同時，他們將與英特爾等公司者合作，測試第一代電子設備的可行性。