2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：
在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時將單堆棧容量擴展至 64GB，而后者意味著 HBM4E 的整體帶寬將達 HBM4 的 1.25 倍。
下游應(yīng)用方面，HBM4E 內(nèi)存有望被英偉達 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 個 HBM4 (E) 堆棧，這意味著單加速器內(nèi)存容量有望達到驚人的 768GB。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。