2 月 24 日消息，隨著存儲(chǔ)行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，推動(dòng) NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個(gè)令人驚訝的消息出現(xiàn)了：

據(jù)韓媒 ZDNet 今日?qǐng)?bào)道，三星可能將使用中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合專(zhuān)利，從其 V10（第 10 代）NAND 開(kāi)始。

報(bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃于 2025 年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約 420 至 430 層。

報(bào)道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說(shuō)正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)協(xié)商一項(xiàng)專(zhuān)利協(xié)議。

注：長(zhǎng)江存儲(chǔ)已率先在閃存中使用了晶棧 Xtacking 技術(shù)，該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。

報(bào)道稱(chēng)，大約四年前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在該領(lǐng)域建立了強(qiáng)大的專(zhuān)利組合。而三星之前在 NAND 生產(chǎn)中使用了 COP（Cell on Peripheral）技術(shù)，其中外圍電路放置在一個(gè)晶圓上，而單元堆疊在其上方。然而，隨著層數(shù)超過(guò) 400 層，對(duì)下層外圍的壓力增大會(huì)影響可靠性，因此需要采取替代方案。

知情人士表示，美國(guó) Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和臺(tái)積電擁有大多數(shù)混合鍵合專(zhuān)利。三星認(rèn)為在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中很難繞過(guò)現(xiàn)有專(zhuān)利，因此選擇與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作。