7月22日消息，據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在推動(dòng)“全國(guó)產(chǎn)化”制造設(shè)備方面取得了重大突破，首條全國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)線將于2025年下半年導(dǎo)入試產(chǎn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2022年底被列入美國(guó)商務(wù)部的實(shí)體清單以來(lái)，依然積極推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)每月約15萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能（WSPM），并力爭(zhēng)到2026年底占據(jù)全球NAND閃存供應(yīng)量的15%。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能已接近每月13萬(wàn)片晶圓，約占全球產(chǎn)能的8%，公司已經(jīng)開(kāi)始出貨232層TLC（三層單元）芯片（X4-9070），該芯片通過(guò)堆疊兩層實(shí)現(xiàn)總共294層。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品路線圖包括一款1TB的TLC設(shè)備、計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出的3D QLC X4-6080，以及一款2TB的TLC X5-9080。

未來(lái)幾代產(chǎn)品預(yù)計(jì)將通過(guò)堆疊三層實(shí)現(xiàn)超過(guò)300層的結(jié)構(gòu)，以提高每片晶圓的比特?cái)?shù)，不過(guò)這可能會(huì)犧牲一些吞吐量。

為了減少對(duì)外國(guó)設(shè)備的依賴，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2025年下半年啟動(dòng)一條完全依賴國(guó)產(chǎn)工具的試驗(yàn)線。

分析師認(rèn)為，如果試驗(yàn)成功，最終可能會(huì)使比特產(chǎn)量翻倍，并將市場(chǎng)份額推高至超過(guò)15%，但他們也提醒說(shuō)，該設(shè)施是實(shí)驗(yàn)性的，大規(guī)模生產(chǎn)還需要時(shí)間。

TechInsights的報(bào)告顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上與市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者相當(dāng)，不過(guò)由于在極紫外光刻（EUV）等關(guān)鍵領(lǐng)域中國(guó)仍存在差距，這使得持續(xù)增長(zhǎng)將取決于縮小設(shè)備和產(chǎn)量差距的能力。