7月17日消息，據(jù)三星供應(yīng)鏈廠商透露，已接獲三星通知，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已通過英偉達（NVIDIA）認(rèn)證，預(yù)計本季開始供貨。對此，三星將轉(zhuǎn)移高達30%的現(xiàn)有DRAM產(chǎn)能用來生產(chǎn)HBM3e，以保障對于英偉達等大廠的供應(yīng)。

此外，三星目前已經(jīng)向供應(yīng)鏈伙伴預(yù)告需要“提早備貨”相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品，有相關(guān)供應(yīng)鏈廠商已經(jīng)接到了通知，這也讓三星大量轉(zhuǎn)移DRAM產(chǎn)能生產(chǎn)HBM的傳聞更具可信度。

HBM是AI芯片關(guān)鍵組件，隨著AI芯片的需求增長，對于HBM的需求也是供不應(yīng)求。目前在HBM市場，SK海力士占據(jù)著領(lǐng)導(dǎo)地位，三星也在持續(xù)發(fā)力HBM，希望能夠追趕上SK海力士。此次成功通過英偉達的驗證，則意味著其能夠大量供貨給英偉達，從而進一步提升在HBM市場的市占率，縮小與SK海力士的差距。

為什么三星需要轉(zhuǎn)移這么多的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)HBM呢？因為，即使在相同制程工藝節(jié)點下，相同容量的HBM對于晶圓的消耗也遠高于DDR5。美光此前就曾在其財報中指出，在整個行業(yè)范圍內(nèi)，HBM3e在同一技術(shù)節(jié)點中生產(chǎn)給定數(shù)量的位所消耗的晶圓供應(yīng)量大約是DDR5的三倍。也就是說，三星轉(zhuǎn)移現(xiàn)有的30%的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)HBM，可能也只能帶來這些轉(zhuǎn)移的總產(chǎn)能的1/3的HBM產(chǎn)能增加。

雖然三星將其現(xiàn)有的30%的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)HBM，將有助于緩解市場上HBM的供應(yīng)緊張問題，但是也將會造成對標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品的供應(yīng)大幅減少。由于三星是全球DRAM芯片的龍頭，占據(jù)整個市場超過45%的份額，勢必將造成全球標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品的供給緊張、價格上漲。根據(jù)計算，三星此舉將影響全球現(xiàn)有超過13%的DRAM產(chǎn)能不再投入DDR4或DDR5等DRAM產(chǎn)品，從而導(dǎo)致DRAM市場更加供不應(yīng)求。

據(jù)《經(jīng)濟日報》援引外資投行摩根士丹利的報告稱，DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級周期”，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)缺口更是高于HBM達23%，預(yù)計價格將一路上漲。

南亞科技總經(jīng)理李培瑛此前曾指出，HBM、DDR5供不應(yīng)求，有望拉抬DRAM市場，預(yù)期南亞科技下半年將維持全產(chǎn)能生產(chǎn)，以滿足市場需求。

李培瑛認(rèn)為，南亞科技較有把握調(diào)漲DDR4價格，主因是三大原廠產(chǎn)能排擠下，將減少DDR4產(chǎn)出，預(yù)期將調(diào)整相關(guān)市場庫存，而在需求大于供給下，南亞科技也會有較大的議價能力。

威剛董事長陳立白也樂觀看待整體DRAM市場，他指出，目前上游原廠對價格態(tài)度依舊相當(dāng)正向積極，產(chǎn)能配置以毛利率最高的HBM優(yōu)先配置，之后才是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利為導(dǎo)向，看好除了DDR5價格繼續(xù)上漲外，DDR4待庫存去化告一段落，價格也將從8月開始進入第二波漲勢，漲幅至少30%以上。

十銓也預(yù)告，DDR5由于原廠的供給量不足，價格仍會持續(xù)微幅上揚，消費級AI應(yīng)用將會于今年第4季后，隨著相關(guān)終端裝置新品陸續(xù)推出，將帶動需求上揚。

根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce此前發(fā)布的調(diào)查報告顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上漲約8~13%，其中PC DRAM 預(yù)計環(huán)比上漲3-8%，Server DRAM預(yù)計環(huán)比上漲8-13%，Mobile DRAM預(yù)計環(huán)比上漲3-8%，Graphics DRAM預(yù)計環(huán)比上漲3-8%，Consumer DRAM DDR3?&DDR4預(yù)計環(huán)比增長3-8%。

值得一提的是，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》引述未具名消息人士報導(dǎo)，三星目前正準(zhǔn)備運用4nm制程，量產(chǎn)第六代高帶寬內(nèi)存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。該邏輯芯粒位于HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。三星目前是以10nm制程生產(chǎn)HBM3E的邏輯芯粒，現(xiàn)在計劃運用4nm來生產(chǎn)，是希望借此奪得HBM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。