5 月 24 日消息，據(jù)路透社報道，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試。三名知情人士表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。
報道稱，這些問題影響到了三星的 HBM3 芯片，該芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 標準。問題還影響了第五代 HBM3E 芯片。
三星在一份聲明中表示，HBM 是一款定制內(nèi)存產(chǎn)品，需要“根據(jù)客戶需求進行優(yōu)化流程”，并補充說，該公司正在通過與客戶的密切合作來優(yōu)化其產(chǎn)品。它拒絕對特定客戶發(fā)表評論。IT之家注意到，英偉達拒絕置評。
三位消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過英偉達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。據(jù)兩位知情人士透露，三星 8 層和 12 層 HBM3E 芯片的失敗測試結(jié)果于 4 月份公布。
目前尚不清楚這些問題是否可以很快解決，但三位消息人士表示，未能滿足英偉達的要求增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂，即三星可能會進一步落后于競爭對手 SK 海力士和美光。
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