據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算，市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長，加上HBM利潤高，故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預(yù)計到今年底前，HBM將占先進制程比例為35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。

以HBM最新進展來看，TrendForce表示，今年HBM3e是市場主流，集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應(yīng)商，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達；三星則采用1α nm制程，第二季度完成驗證，年中交貨。

除了HBM需求占比持續(xù)增加，PC、服務(wù)器、智能手機三大應(yīng)用單機搭載容量增長，故先進制程消耗量逐季提升。英特爾Sapphire Rapids、AMD Genoa新平臺量產(chǎn)后，存儲規(guī)格僅能用DDR5，今年DDR5滲透率至年底將超過50%。

新廠方面，三星廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L計劃2025年完工，Line 15廠區(qū)制程轉(zhuǎn)換，1Y nm轉(zhuǎn)至1β nm以上；SK海力士除了M16明年產(chǎn)能擴大，M15X亦規(guī)劃2025年完工，年底量產(chǎn)；美光中國臺灣廠區(qū)明年恢復(fù)滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴張以美國廠為主，Boise廠區(qū)2025年完工并陸續(xù)移機，2026年量產(chǎn)。

TrendForce指出，由于英偉達GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā)，若投資沒有明顯擴大，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品可能供應(yīng)不足。