3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。
HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。
MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。
隨著 HBM 中 DRAM 層的增加，DRAM 晶圓也需要隨之變薄，而整體壓力卻會進一步增大，因此晶圓翹曲會加劇，SK 海力士的 MR-RUF 路線被部分人士認為能更好解決翹曲問題。
路透社之前援引分析師的話說，三星的 HBM3 內(nèi)存芯片良率僅有 10~20%，明顯低于 SK 海力士的 60~70%，因此三星求變，正考慮向日本企業(yè)購買 MR-RUF 所用模塑料。
三星電子表示路透社報道不正確，并回應稱：“我們正在利用 NCF 方法制定最佳解決方案。”
業(yè)內(nèi)人士認為，三星在 NCF 材料的研發(fā)和擴產(chǎn)上進行了大規(guī)模投資，因此目前在 HBM 上無法轉(zhuǎn)向 MR-RUF。據(jù)IT之家此前報道，三星將在 3DS RDIMM 上進行 MR-RUF 的應用嘗試。
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