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三星閃存芯片首次進入3D晶體管時代
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三星宣布計劃將FinFET制程導入NAND Flash
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聯電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術明年通過驗證
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臺積電歐洲首座晶圓廠將在德國動工
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Agile Analog宣布已成功在格芯兩大工藝上提供可定制的模擬IP
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
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新思科技攜手是德科技、Ansys推出先進 N4P工藝全新參考流程
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10Gbps！全球最強LPDDR5/5X IP成功量產
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5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
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Arasan宣布為格芯12nm FinFET工藝節(jié)點提供MIPI D-PHY(SM) IP
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英特爾展示多項技術突破，推動摩爾定律超越2025
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三星推新工藝，將FinFET帶到28nm，首攻CIS堆疊？
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Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結構將取代FinFET
發(fā)表于：1/25/2021 8:33:00 PM
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FinFET器件結構發(fā)展綜述
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臺積電3納米今年試產！與5nm、7nm 100% IP 兼容！
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IP全國產邁出關鍵一步，TSMC FinFET N+1芯片問市
發(fā)表于：10/12/2020 10:49:24 PM
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臺積電2nm工藝獲重大突破！
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FinFET壽終正寢！臺積電2nm GAA工藝結束路徑探索階段
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臺積電的GAA-FET什么時候到來？
發(fā)表于：8/27/2020 1:24:15 PM
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中國臺灣：臺積電2nm大突破
發(fā)表于：7/14/2020 7:54:00 AM
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英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸，或棄用 FinFET專用GAA環(huán)繞柵極電晶體？
發(fā)表于：3/16/2020 4:20:24 PM
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先不上GAA晶體管 臺積電第一代3nm工藝將繼續(xù)用FinFET技術
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英特爾原總裁推動力ARM架構服務器CPU，Ampere勝算幾何
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格芯成功研發(fā)22FDX技術,能讓英特爾、三星等行業(yè)巨頭研究多年的eMRAM究竟有何魅力？
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3nm、5nm制程：復雜且昂貴的爭奪戰(zhàn)（一）
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中芯國際發(fā)布一季度財報 FinFET研發(fā)進展順利
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格芯全資子公司Avera Semi正式成立
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臺積電宣布其7納米制程進入量產 并透露了5納米節(jié)點的首個時間表
發(fā)表于：11/1/2018 2:17:42 AM
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