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英特爾3D封裝技術(shù)深度解讀

2019-01-24
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 FinFET 3DNAND

一說(shuō)到2D或者3D,總是讓人想到視覺(jué)領(lǐng)域中的效果,然而在半導(dǎo)體領(lǐng)域,3D技術(shù)帶來(lái)的革命更嘆為觀止,早些年的FinFET3D NAND只是個(gè)開(kāi)始。從去年12月初英特爾公布新架構(gòu)路線,到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺(tái)電腦,這樣的速度,你不得不更上!

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到底是什么決定著產(chǎn)品質(zhì)的飛越,銷量徘徊不前的PC到底路在何方?英特爾在此次CES上給了大家答案和思考。


“早”在2011年年中,英特爾推出了向空間要性能的Tri-Gate 3D晶體管技術(shù),成為L(zhǎng)SI取代電子管之后,半導(dǎo)體制程革命的新標(biāo)志。該技術(shù)就是今天已經(jīng)廣為各大半導(dǎo)體廠商所采用的FinFET。


從2013年開(kāi)始,多家主流的Flash廠商開(kāi)始陸續(xù)推出3D NAND產(chǎn)品,最早推出該類產(chǎn)品的三星稱之為V-NAND。與該技術(shù)普及相伴的是MLC向高堆疊TLC的技術(shù)演進(jìn),SSD進(jìn)入尋常百姓家。

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在這股浪潮中,英特爾/美光并不是十分積極,直到2015年才少量推出了使用相對(duì)獨(dú)特的浮柵技術(shù)的3D NAND產(chǎn)品。真正的大招是他們同時(shí)宣布,2017年初正式推出成品的3D XPoint技術(shù),英特爾稱之為Optane(傲騰),比單純的3D NAND只講求容量增加,更多了一重性能(速度、延遲、壽命)的大幅提升。


可以說(shuō),半導(dǎo)體業(yè)界近年來(lái)每次大的技術(shù)飛越,都與3D化——從平面向空間要增長(zhǎng)密不可分。而其中,英特爾的角色都是那么的微妙和關(guān)鍵。


剛剛公布就接近產(chǎn)品化的3D封裝技術(shù)Foveros,將用多么“了不起(Foveros希臘語(yǔ)含義)”的成就改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呢?


制程制程,制程是什么?無(wú)論是英特爾推演在的14nm、剛剛宣布2019年進(jìn)入的,還是TSMC于去年下半年開(kāi)始量產(chǎn)7nm,簡(jiǎn)單的描述是線寬,是晶片組成的半導(dǎo)體里弄中的道路寬度。路窄不是問(wèn)題,關(guān)鍵是一方面要能保證車輛正常通行,另一方面還要防止路兩側(cè)房間不會(huì)隔路“相望”。英特爾不斷的14nm制程優(yōu)化過(guò)程,就是路不變窄的情況下,盡可能蓋上更多的房間、住下更多的晶體管。同理,7nm的馬路雖窄,但若不能很好地隔離不同“房間”間的干擾,房間的實(shí)際面積或距離,并不能隨同制程改進(jìn)而縮小,也就是晶體管密度沒(méi)有增加,一切都等于白搭。


雖然FinFET技術(shù)已經(jīng)完全普及,但是由于大多數(shù)CPU或SoC內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜、同時(shí)具有電氣性能差異巨大的眾多功能模塊,F(xiàn)inFET技術(shù)只能實(shí)現(xiàn)單個(gè)晶體管,或者說(shuō)柵極的空間布局,晶體管本身無(wú)法實(shí)現(xiàn)多層堆疊,即3D化。在這種情況下,CPU和SoC只能基于單片晶圓生產(chǎn),同等制程情況下,對(duì)應(yīng)DIE的面積反映出晶體管的數(shù)量,間接地呈現(xiàn)芯片性能。這也是摩爾定律已死的理論根源。


3D封裝技術(shù),在這里起到了革命性的作用,下面的故事有點(diǎn)像立體種植,把從面積要的產(chǎn)能改為向空間要。

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立體種植晶體管,對(duì)不起,暫時(shí)還不能。3D封裝說(shuō)得很清楚,就是在空間中而不是平面化封裝多個(gè)芯片。也許你會(huì)說(shuō),這有什么新鮮的,芯片堆疊技術(shù)不是老早之前就被廣泛使用了么,無(wú)論是DRAM還是NAND,都已廣泛采用堆疊技術(shù),特別是NAND已經(jīng)從128層甚至更多層邁進(jìn)。而智能手機(jī)所使用的SiP芯片,也是將SoC與DRAM堆疊在一起的。


DRAM/NAND堆疊相對(duì)簡(jiǎn)單,由于各層半導(dǎo)體功能特性相同,無(wú)論是地址還是數(shù)據(jù),信號(hào)可以縱穿功能完全相同的不同樓層,就像是巨大的公寓樓中從底到頂穿梭的電梯。存儲(chǔ)具有Cell級(jí)別的高度相似性,同時(shí)運(yùn)行頻率相對(duì)不高,較常采用這種結(jié)構(gòu)。

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SoC和DRAM芯片的堆疊,采用了內(nèi)插器或嵌入式橋接器,芯片不僅功能有別,而且連接速度高,這樣的組合甚至可以完成整個(gè)系統(tǒng)功能,因此叫SiP(System in Package)更準(zhǔn)確。SiP封裝足夠小巧緊湊,但是其中功能模塊十分固定,難以根據(jù)用戶需要自由組合IP模塊,也就是配置彈性偏低。

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在去年年初,英特爾推出Kaby Lake-G令人眼前一亮,片上集成AMD Vega GPU和HBM2顯存的Kaby Lake-G讓EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術(shù)進(jìn)入人們眼簾,而該技術(shù)還只是2D封裝,也就是所有芯片在一個(gè)平面上鋪開(kāi)。

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現(xiàn)在,英特爾已準(zhǔn)備好將3D封裝引入主流市場(chǎng),也就是Foveros。Foveros 3D封裝將多芯片封裝從單獨(dú)一個(gè)平面,變?yōu)榱Ⅲw式組合,從而大大提高集成密度,可以更靈活地組合不同芯片或者功能模塊。

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多IP組合靈活(異構(gòu)),并且占用面積小、功耗低,是Foveros最顯著的特點(diǎn)。特別是結(jié)合上英特爾10nm制程,摩爾定律從晶體管密度(2D)到空間布局(3D)兩個(gè)維度得到延續(xù)。


Lakefield是英特爾在CES 2019上披露的全新客戶端平臺(tái)的代號(hào),該平臺(tái)支持超小型主板,有利于 OEM 靈活設(shè)計(jì),打造各種創(chuàng)新的外形設(shè)計(jì)。該平臺(tái)采用英特爾異構(gòu) 3D封裝技術(shù),并具備英特爾混合CPU架構(gòu)功能。借助Foveros,英特爾可以靈活搭配3D堆疊獨(dú)立芯片組件和技術(shù)IP模塊,如I/O和內(nèi)存?;旌螩PU架構(gòu)將之前分散獨(dú)立的CPU內(nèi)核結(jié)合起來(lái),支持各自在同一款10nm產(chǎn)品中相互協(xié)作:高性能Sunny Cove內(nèi)核與4個(gè)Atom內(nèi)核有機(jī)結(jié)合,可有效降低能耗。英特爾宣布預(yù)計(jì)將于2019年下半年推出使用這種全新3D堆疊技術(shù)的產(chǎn)品。

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這顆Foveros 3D封裝技術(shù)打造的硬幣大小的芯片,從下至上,依次是封裝基底(Package)、底層芯片(Bottom Chip)、中介層(Active Interposer,中介層上的上層芯片可以包括各種功能,如計(jì)算、圖形、內(nèi)存、基帶等。中介層上帶有大量特殊的TSV 3D硅穿孔,負(fù)責(zé)聯(lián)通上下的焊料凸起(Solder Bump),讓上層芯片和模塊與系統(tǒng)其他部分通信。

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該芯片封裝尺寸為12mm×12mm、厚1mm,而內(nèi)部3D堆疊封裝了多個(gè)模塊:基底是P1222 22FFL(22nm改進(jìn)工藝)工藝的I/O芯片;之上是P1274 10nm制程計(jì)算芯片,內(nèi)部整合了一個(gè)Sunny Cove高性能核心、4個(gè)Atom低功耗核心;PoP整合封裝的內(nèi)存芯片。據(jù)稱,整顆芯片的功耗最低只有2mW,最高不過(guò)7W,注意,這可是高性能的x86架構(gòu)芯片,不是ARM的喲!

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圍繞這顆芯片制成的電腦主板尺寸縮小到一塊M.2規(guī)格SSD大小,要知道此前Core m SoC平臺(tái)主板的面積小1/2以上。


同時(shí)Sunny Cove 高性能核心將提供用于加速 AI 工作負(fù)載的全新集成功能、更多安全特性,并顯著提高并行性,以提升游戲和媒體應(yīng)用體驗(yàn),特別是其高級(jí)媒體編碼器和解碼器,可在有限功耗內(nèi)創(chuàng)建4K視頻流和8K內(nèi)容。另外,從Ice Lake開(kāi)始,英特爾承諾的直接集成Thunderbolt 3和支持Wi-Fi 6(802.11ax)等功能也將落地,全面增強(qiáng)連接性能。


此后,10nm技術(shù)將逐步拓展到桌面級(jí)產(chǎn)品領(lǐng)域、Foveros 3D封裝的Lakefield,而至強(qiáng)可擴(kuò)展(Xeon Scalable)平臺(tái)(Ice Lake-SP)則將在2020年進(jìn)行升級(jí)。

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隨著東京奧運(yùn)會(huì)的臨近,英特爾的5G技術(shù)也在加緊部署。其中代號(hào)為Snow Ridge的首款10nm 5G無(wú)線接入和邊緣計(jì)算的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片,將把英特爾的計(jì)算架構(gòu)引入無(wú)線接入基站領(lǐng)域,從而充分讓其計(jì)算功能在網(wǎng)絡(luò)邊緣進(jìn)行分發(fā)。CES 2019上,英特爾展示了基于Snow Ridge平臺(tái)的一款小型無(wú)線基站,整個(gè)設(shè)備的體積非常小巧,而這顆芯片示Snow Ridge也采用了Foveros 3D封裝工藝,交付時(shí)間為今年下半年。

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新制程與新封裝,一直是英特爾稱霸半導(dǎo)體領(lǐng)域的基石。2011年的22nm+Tri-Gate,2019年的10nm+Foveros,摩爾定律的世界依然寬廣。


等待了數(shù)年,英特爾新技術(shù)將再次改變世界,起點(diǎn)仍將是集各領(lǐng)域發(fā)展前沿于大乘的PC領(lǐng)域。在可以預(yù)見(jiàn)的將來(lái),AI加持的CPU仍將是核心計(jì)算單元,經(jīng)過(guò)重新構(gòu)建的CPU架構(gòu),無(wú)論是從Sunny Cove開(kāi)始的新一代酷睿微架構(gòu),還是Lakefield所展現(xiàn)的混合CPU架構(gòu),都極大地平衡了性能與功耗,將高性能、小型化與長(zhǎng)續(xù)航推向新的高度。在最新發(fā)布的一批9代酷睿處理器上,新的“F”后綴產(chǎn)品已經(jīng)不再集成核顯,與Ice Lake走向市場(chǎng)前后腳,英特爾回歸獨(dú)顯市場(chǎng)的首款產(chǎn)品Arctic Sound也將上市,隨后的13代產(chǎn)品Jupiter Sound更是再推翻番的性能。再加上本地連通的PCI-E 4.0、擴(kuò)展連接的集成Thunderbolt 3,結(jié)合了5G和Wi-Fi 6的“永遠(yuǎn)在線”,存儲(chǔ)上的Optane Memory及Optane SSD,無(wú)所不能的PC在英特爾技術(shù)的打造下正在浮出水面,PC的世界依然相當(dāng)精彩。


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