euv 相關(guān)文章(218篇)
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Intel前CEO基辛格投身EUV光刻
發(fā)表于：2025/4/14 19:21:29
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消息稱三星5000億韓元引入其首臺ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2025/3/13 11:20:15
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美光1γ制程DRAM僅采用了一層EUV光刻
發(fā)表于：2025/3/12 11:07:32
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美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)可大幅提升芯片制造效率
發(fā)表于：2025/1/6 9:38:23
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俄羅斯自研EUV光刻機(jī)計劃曝光
發(fā)表于：2024/12/20 10:39:00
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Rapidus宣布2025年4月啟動2nm試產(chǎn)線
發(fā)表于：2024/12/13 10:59:32
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ASML前員工涉嫌竊取公司芯片機(jī)密并出售被罰
發(fā)表于：2024/12/9 9:25:55
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ASML在2024 年投資者日會議上就市場機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：2024/11/18 23:00:36
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日本首臺ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠
發(fā)表于：2024/11/15 14:04:05
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ASML預(yù)計2030年營收最高將達(dá)600億歐元
發(fā)表于：2024/11/15 10:43:53
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把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新
發(fā)表于：2024/8/13 11:49:00
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日本研究團(tuán)隊提出EUV光刻新方案
發(fā)表于：2024/8/13 10:09:39
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美光已在廣島工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM
發(fā)表于：2024/6/28 9:30:00
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ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨來自中國公司的競爭
發(fā)表于：2024/6/7 9:17:09
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阿斯麥 High-NA EUV光刻機(jī)取得重大突破
發(fā)表于：2024/4/18 8:52:24
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ASML 首臺新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
發(fā)表于：2024/3/13 10:25:23
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ASML展示最新EUV光刻機(jī)內(nèi)部畫面
發(fā)表于：2024/2/14 20:39:56
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德國默克稱DSA自組裝技術(shù)十年內(nèi)商用
發(fā)表于：2024/2/5 10:46:25
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ASML：High-NA EUV光刻仍是未來最經(jīng)濟(jì)選擇
發(fā)表于：2024/2/4 11:09:27
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我國推進(jìn)硅光子新賽道：無需EUV 光刻機(jī)和先進(jìn)制程
發(fā)表于：2024/1/24 11:15:33
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EUV光刻，日本多路出擊
發(fā)表于：2023/12/29 12:39:33
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三星計劃投資10萬億韓元用于采購ASML EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2023/11/15 14:41:54
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逆天了！清華大學(xué)SSMB-EUV光源橫空出世，功率是EUV光刻機(jī)40倍！
發(fā)表于：2023/9/14 13:28:35
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線邊緣粗糙度（LER）如何影響先進(jìn)節(jié)點上半導(dǎo)體的性能
發(fā)表于：2023/6/12 22:49:00
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國產(chǎn)光刻機(jī)的突破：告別自嗨，務(wù)實為真
發(fā)表于：2023/3/1 9:49:00
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ASML堵了EUV光刻機(jī)的路，但國產(chǎn)光刻機(jī)有3大新方向
發(fā)表于：2023/2/24 6:49:25
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國產(chǎn)芯片再獲新技術(shù)，無需EUV光刻機(jī)也能實現(xiàn)7納米
發(fā)表于：2023/2/14 23:25:00
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EUV光刻機(jī)3大核心：2大來自德國，1大來自美國，ASML負(fù)責(zé)組裝
發(fā)表于：2023/2/12 14:58:49
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EUV光刻機(jī)研發(fā)難在哪？ASML：數(shù)百家頂級供應(yīng)商 40年時間
發(fā)表于：2023/1/31 0:01:48
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ASML：可繼續(xù)向中國銷售DUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2023/1/30 23:27:09
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