德國(guó)默克公司高級(jí)副總裁 Anand Nambier 近日在新聞發(fā)布會(huì)上稱，未來(lái)十年 DSA 自組裝技術(shù)將實(shí)現(xiàn)商用化，可減少昂貴的 EUV 圖案化次數(shù)，成為現(xiàn)有光刻技術(shù)的重要補(bǔ)充。

編者注：DSA 全稱為 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征實(shí)現(xiàn)周期性圖案的自動(dòng)構(gòu)造，在此基礎(chǔ)上加以誘導(dǎo)，最終形成方向可控的所需圖案。一般認(rèn)為，DSA 不適合作為一項(xiàng)獨(dú)立的圖案化技術(shù)使用，而是與其他圖案化技術(shù)（如傳統(tǒng)光刻）結(jié)合來(lái)生產(chǎn)高精度半導(dǎo)體。

▲ Anand Nambier 在發(fā)布會(huì)上。圖源 The Elec

Anand Nambiar 表示：“DSA 技術(shù)正處于起步階段，我們相信它將在未來(lái)十年內(nèi)成為 EUV 光刻生產(chǎn)中的一項(xiàng)基本技術(shù)。由于 EUV 技術(shù)的使用成本較高，客戶希望減少使用 EUV 的步驟數(shù)量。我們正在與全球主要半導(dǎo)體公司開(kāi)展 DSA 研究合作。”據(jù)韓媒 The Elec 了解，三星電子和 SK 海力士等使用 EUV 光刻的公司都參與了相關(guān)研究。

DSA 在 EUV 的主要應(yīng)用是補(bǔ)償 EUV 的隨機(jī)誤差。隨機(jī)誤差占 EUV 工藝整體圖案化誤差中的 50%。

不過(guò)，DSA 要商業(yè)化大規(guī)模應(yīng)用，還需要減少其本身導(dǎo)致的問(wèn)題。目前，在使用 DSA 生成圖案的過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)氣泡、橋和簇等類型的缺陷。其中，橋型缺陷最為常見(jiàn)。

▲ DSA 技術(shù)缺陷產(chǎn)生情況。圖源 imec

根據(jù)分析機(jī)構(gòu) TechInsights 去年 1 月公布的數(shù)據(jù)，三星擁有 68 項(xiàng) DSA 相關(guān)專利，而臺(tái)積電和 ASML 分別持有 24 和 16 項(xiàng)。