今年2月下旬日，DRAM大廠美光科技（Micron Technology）宣布，它已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)售家向合作伙伴提供基于極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 級） DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品的公司。不過，美光并未透露其1γ制程使用多少層EUV光刻。

根據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道，美光送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片，僅僅只用一層EUV光刻，這是由于美光希望通過減少EUV使用，以加速量產(chǎn)先進制程DRAM，并降低成本。

報道稱，美光選擇減少依賴EUV，因而更多的關(guān)鍵層還是基于成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）制程。ASML數(shù)據(jù)顯示，下代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)為193nm波長氬氟激光，可達成38nm特征尺寸圖案化。雖然EUV的13.5nm波長精確度更高，但成本也更高。

美光表示，EUV技術(shù)未完全穩(wěn)定，僅必要時使用。短期可能提升生產(chǎn)速度，但長期可能會影響芯片良率和性能。

相比之下，韓國DRAM大廠三星和SK海力士DRAM目前則更依賴于EUV制程。目前三星2020年起就采用EUV制程來生產(chǎn)DRAM，其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層。SK海力士則是于2021年導(dǎo)入了EUV制程，下代1C 10nm級DRAM也是類似策略。

雖然，美光減少對于EUV光刻的依賴，短期內(nèi)可節(jié)省成本，但長期可能會面臨技術(shù)瓶頸。市場人士指出，ArFi制程需更多步驟，可能導(dǎo)致良率下降，EUV層數(shù)增加，超過三層后技術(shù)難度也顯著增加。