FINFET 相關(guān)文章(92篇)
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三星閃存芯片首次進入3D晶體管時代
發(fā)表于：10/24/2025 10:13:39 AM
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三星宣布計劃將FinFET制程導(dǎo)入NAND Flash
發(fā)表于：10/24/2025 9:30:30 AM
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聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗證
發(fā)表于：4/28/2025 11:33:00 AM
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臺積電歐洲首座晶圓廠將在德國動工
發(fā)表于：8/19/2024 9:21:17 AM
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Agile Analog宣布已成功在格芯兩大工藝上提供可定制的模擬IP
發(fā)表于：7/26/2024 8:30:00 AM
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片
發(fā)表于：2/22/2024 8:49:00 PM
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新思科技攜手是德科技、Ansys推出先進 N4P工藝全新參考流程
發(fā)表于：10/30/2023 4:22:55 PM
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10Gbps！全球最強LPDDR5/5X IP成功量產(chǎn)
發(fā)表于：6/23/2022 9:36:23 PM
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5nm及更先進節(jié)點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能
發(fā)表于：5/5/2022 11:03:00 PM
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Arasan宣布為格芯12nm FinFET工藝節(jié)點提供MIPI D-PHY(SM) IP
發(fā)表于：3/9/2022 8:17:21 PM
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英特爾展示多項技術(shù)突破，推動摩爾定律超越2025
發(fā)表于：12/13/2021 9:27:52 PM
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三星推新工藝，將FinFET帶到28nm，首攻CIS堆疊？
發(fā)表于：10/8/2021 9:47:21 AM
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Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
發(fā)表于：1/25/2021 8:33:00 PM
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FinFET器件結(jié)構(gòu)發(fā)展綜述
發(fā)表于：1/14/2021 9:23:00 AM
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臺積電3納米今年試產(chǎn)！與5nm、7nm 100% IP 兼容！
發(fā)表于：1/7/2021 12:43:17 PM
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IP全國產(chǎn)邁出關(guān)鍵一步，TSMC FinFET N+1芯片問市
發(fā)表于：10/12/2020 10:49:24 PM
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臺積電2nm工藝獲重大突破！
發(fā)表于：9/23/2020 3:14:23 PM
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FinFET壽終正寢！臺積電2nm GAA工藝結(jié)束路徑探索階段
發(fā)表于：9/23/2020 6:27:30 AM
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臺積電的GAA-FET什么時候到來？
發(fā)表于：8/27/2020 1:24:15 PM
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中國臺灣：臺積電2nm大突破
發(fā)表于：7/14/2020 7:54:00 AM
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英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸，或棄用 FinFET專用GAA環(huán)繞柵極電晶體？
發(fā)表于：3/16/2020 4:20:24 PM
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先不上GAA晶體管 臺積電第一代3nm工藝將繼續(xù)用FinFET技術(shù)
發(fā)表于：3/8/2020 6:00:00 AM
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英特爾原總裁推動力ARM架構(gòu)服務(wù)器CPU，Ampere勝算幾何
發(fā)表于：3/5/2020 8:56:19 PM
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格芯成功研發(fā)22FDX技術(shù),能讓英特爾、三星等行業(yè)巨頭研究多年的eMRAM究竟有何魅力？
發(fā)表于：2/28/2020 7:04:09 PM
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發(fā)表于：2/28/2020 7:04:09 PM
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3nm、5nm制程：復(fù)雜且昂貴的爭奪戰(zhàn)（一）
發(fā)表于：2/6/2020 4:49:22 PM
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中芯國際發(fā)布一季度財報 FinFET研發(fā)進展順利
發(fā)表于：5/9/2019 2:46:24 PM
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英特爾3D封裝技術(shù)深度解讀
發(fā)表于：1/24/2019 8:22:24 PM
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格芯全資子公司Avera Semi正式成立
發(fā)表于：11/1/2018 9:32:22 AM
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臺積電宣布其7納米制程進入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點的首個時間表
發(fā)表于：11/1/2018 2:17:42 AM
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