微波射頻相關(guān)文章 一種基于閃存固態(tài)盤的內(nèi)存交換區(qū)空間分配方案 針對閃存固態(tài)盤語義缺失特性，提出了一種帶有語義感知的交換區(qū)空間分配方案，減少了交換系統(tǒng)中Trim命令的使用次數(shù)，進而減少內(nèi)存交換系統(tǒng)中的時間開銷，提高程序運行的性能。 發(fā)表于：7/30/2013 Molex MX150 非密封連接器系統(tǒng)以經(jīng)過現(xiàn)場驗證的MX150 端子系統(tǒng)為基礎(chǔ)，采用成本設(shè)計方法構(gòu)建 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出用于汽車工業(yè)直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應(yīng)用的MX150?非密封連接器系統(tǒng)，用于內(nèi)部照明、控制臺、梳妝鏡、座椅和門鎖等空間受限場合。新型非密封連接系統(tǒng)使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經(jīng)過現(xiàn)場驗證的Molex MX150端子設(shè)計，較傳統(tǒng)USCAR 1.50mm接口顯著節(jié)省空間。 發(fā)表于：7/15/2013 Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度 Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。 發(fā)表于：7/4/2013 中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開花 近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應(yīng)用進展如何？在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢？ 發(fā)表于：7/3/2013 意法半導體（ST）過壓保護二極管創(chuàng)小型化記錄，為移動應(yīng)用釋放更多電路板空間 意法半導體推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管，為消費電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過壓保護功能。 發(fā)表于：4/10/2013 英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS? MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。 發(fā)表于：3/27/2013 恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管 智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。 發(fā)表于：3/25/2013 德州儀器推出支持業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管 日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款采用標準表面貼裝封裝并支持15A 電流處理功能與業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管。與采用3 個傳統(tǒng)肖特基二極管的類似接線盒相比，在典型應(yīng)用中每個SM74611 不但可將功耗銳降80%，而且還可將接線盒內(nèi)的工作溫度降低50 攝氏度。 發(fā)表于：3/18/2013 Everspin推出帶Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件 Everspin科技公司今天宣布推出一款帶有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4個串行I/O通路，從一個串行I/O通路的SPI發(fā)展而來。MRAM和Quad SPI的結(jié)合讓用戶可以充分運用超高的寫速度，徹底摒棄了Flash或EEPROM器件必須經(jīng)歷的寫延時。MR10Q010擁有一個52MBps讀/寫帶寬的104MHz時鐘速度，Everspin期待它用在需要高頻率、高速寫入重要數(shù)據(jù)的應(yīng)用中。MR10Q010體現(xiàn)了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有優(yōu)點 —— 最快的非易失性隨機訪問存儲器，具有超強的可靠性。 發(fā)表于：3/5/2013 德州儀器柵極驅(qū)動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計需求 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅(qū)動器可為隔離式電源設(shè)計提供最高效率的輸出驅(qū)動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應(yīng)以及電動汽車充電等應(yīng)用需求。 發(fā)表于：3/4/2013 電源設(shè)計小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法 因其低成本的特點，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會在電容器壽命期間蒸發(fā)，從而改變其電氣屬性。如果電容器失效，其會出現(xiàn)劇烈的反應(yīng)：電容器中形成壓力，迫使它釋放出易燃、腐蝕性氣體。 發(fā)表于：2/26/2013 英飛凌選用漢高新型導熱膏——導熱性能更出色的TIM 功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。在尋求解決方案的過程中，英飛凌科技股份公司選中了漢高電子材料提供的TIM材料?，F(xiàn)在，漢高進一步推出一種專門針對功率半導體模塊而優(yōu)化的導熱膏。 發(fā)表于：2/26/2013 意法半導體（ST）與阿姆斯特丹大學理工學院合作追蹤鳥類飛行記錄 意法半導體與阿姆斯特丹（UvA）大學理工學院攜手宣布，該大學研發(fā)的先進鳥類追蹤系統(tǒng)采用了意法半導體的先進MEMS傳感技術(shù)。 發(fā)表于：2/22/2013 瑞薩電子發(fā)布擁有世界頂級超高開關(guān)速度，且集成IGBT柵極驅(qū)動保護功能的光電耦合器 全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管（IGBT）[注釋1]保護功能的全新光電耦合器：PS9332L 和PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機械和太陽能系統(tǒng)等應(yīng)用條件。 發(fā)表于：2/5/2013 瑞薩電子宣布推出適用于功率效率更高、緊湊型服務(wù)器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET 全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）于今天宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing [注釋3] FET使用的 µPA2766T1A。 發(fā)表于：2/4/2013 ?…82838485868788899091…?
