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IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。

發(fā)表于：9/4/2012

圣邦推出支持鋰電池過壓檢測(cè)功能的過壓保護(hù)器件SGM4062

圣邦微電子（SG MICRO）于2012年推出過壓保護(hù)芯片SGM4062。該產(chǎn)品具有鋰電池過壓檢測(cè)功能、啟動(dòng)過流保護(hù)功能。SGM4062過壓保護(hù)電壓典型值為6.8V。當(dāng)輸入電壓高于6.8V時(shí)，過壓保護(hù)功能（OVP）啟動(dòng)，自動(dòng)斷開電路以保護(hù)系統(tǒng)安全。

發(fā)表于：9/3/2012

Molex新型Micro-Lock? Positive-Lock連接器具有‘免損毀’插配保護(hù)特性

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出新的通孔(through-hole)Micro-Lock?單排連接器產(chǎn)品線，用于數(shù)據(jù)/通信、電信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品，包括游戲機(jī)和LCD及PDP平板顯示器的線對(duì)板應(yīng)用。Micro-Lock確立鎖閂(positive-lock)2.00 mm間距連接器具有6.00 mm的低插配側(cè)高和‘免損毀’設(shè)計(jì)特性，防止在連接器插配期間損壞連接頭針腳。

發(fā)表于：8/16/2012

Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快器件，擴(kuò)展串行SRAM產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI?協(xié)議可實(shí)現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數(shù)據(jù)傳送及零寫入時(shí)間。

發(fā)表于：8/7/2012

瑞薩電子第七代650V和1250V IGBT建立了一個(gè)新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，可以在工業(yè)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效的解決方案，如太陽能及工業(yè)電機(jī)逆變器

瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，今天宣布為其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，用于將DC轉(zhuǎn)換成AC電源的系統(tǒng)中，設(shè)計(jì)用于對(duì)應(yīng)高電壓和大電流的應(yīng)用，如太陽能發(fā)電機(jī)和工業(yè)電機(jī)用功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)。第七代技術(shù)，采用增強(qiáng)型薄化晶圓工藝，在傳導(dǎo)、開關(guān)損耗以及耐受能力之間達(dá)到了低損耗平衡，以承受短路情況的發(fā)生。

發(fā)表于：7/25/2012

英飛凌面向低電壓應(yīng)用的最新防靜電二極管，提升消費(fèi)電子產(chǎn)品的可靠性

英飛凌科技發(fā)布了一系列可用于改善靜電防護(hù)性能的TVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管。靜電放電（ESD）可能對(duì)敏感的消費(fèi)電子系統(tǒng)造成損害。全新±3.3V雙向二極管系列擁有行業(yè)領(lǐng)先的箝位電壓和靜電吸收率，可以防止電尖峰脈沖對(duì)系統(tǒng)的音頻輸入端口或觸屏接口電路等部位造成沖擊。

發(fā)表于：7/16/2012

愛特梅爾帶有唯一標(biāo)識(shí)符的新型串行EEPROM產(chǎn)品系列簡化設(shè)計(jì)并降低聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品成本

微控制器及觸摸技術(shù)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布推出兩個(gè)新的串行EEPROM產(chǎn)品系列。AT24MAC系列器件具有預(yù)編程媒體存取控制(Media Access Control，MAC)/擴(kuò)展唯一標(biāo)識(shí)符(Extended Unique Identifier，EUI)的節(jié)點(diǎn)身份地址，緩減客戶對(duì)自行對(duì)MAC/EUI地址進(jìn)行編程和維護(hù)相關(guān)的復(fù)雜數(shù)據(jù)的需求，使得所有類型聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的開發(fā)更簡單、更快速、和更廉宜。AT24CS系列器件包括工廠編程唯一只讀序列號(hào)，可以幫助客戶簡化批量生產(chǎn)線的存貨控制并增強(qiáng)產(chǎn)品的可追溯性。

發(fā)表于：7/13/2012

瑞薩電子推出具有長外部爬電距離（14.5 mm）、符合安全標(biāo)準(zhǔn)要求、需要690 V（或更高）高絕緣電壓的光電耦合器

高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今天宣布推出用于逆變器的長爬電距離光電耦合器PS9905，其適用于采用690 V最高商業(yè)電源電壓的工業(yè)設(shè)備或者采用1,000 V高壓的太陽能發(fā)電系統(tǒng)之類的應(yīng)用。新款PS9905器件是一款外部爬電距離（注釋2）為14.5 mm的光電耦合器（化合物半導(dǎo)體，注釋1），其超過安全標(biāo)準(zhǔn)（IEC 61800）指定的防止電擊等事故發(fā)生所需的爬電距離- 13.8 mm。

發(fā)表于：7/10/2012

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET，具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷并采用快速體二極管，以提高反向恢復(fù)的性能

瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，今天宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和低柵極電壓的組合平臺(tái)，同時(shí)結(jié)合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率，如空調(diào)等采用帶逆變控制的高速電機(jī)的家電。

發(fā)表于：7/10/2012

Molex為第二代Intel® Core? CPU提供 LGA 1155插座組件

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司現(xiàn)提供觸點(diǎn)陣列封裝(Land Grid Array，LGA) 1155 Intel® CPU插座組件。LGA 1155 CPU插座又被稱為Socket H2插座，設(shè)計(jì)用于英特爾(Intel)代號(hào)為Sandy Bridge的第二代Core? i7/i5/i3系列臺(tái)式電腦微處理器。這款1155電路插座是用于Nehalem處理器的LGA 1156(或Socket H1)插座的替代產(chǎn)品。

發(fā)表于：6/26/2012

英飛凌推出采用直驅(qū)技術(shù)的革命性CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件：讓太陽能逆變器的能效達(dá)到更高水平

在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。

發(fā)表于：6/19/2012

恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日推出業(yè)內(nèi)首款2 mmx 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

發(fā)表于：6/19/2012

論如何保證硬盤播出系統(tǒng)的安全

分析硬盤播出系統(tǒng)的原理、硬件系統(tǒng)及軟件系統(tǒng)組成，闡述了從體系結(jié)構(gòu)方面構(gòu)建安全的硬盤播出系統(tǒng)，從安全運(yùn)行方面做好硬盤播出系統(tǒng)的軟件系統(tǒng)和硬件系統(tǒng)的維護(hù),總結(jié)了保證硬盤播出系統(tǒng)安全的方法和策略。

發(fā)表于：6/18/2012

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)

提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量 NAND Flash存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFlash當(dāng)成NOR Flash或SRAM來對(duì)待

發(fā)表于：6/11/2012

Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

發(fā)表于：5/2/2012