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Microsemi新型SiC肖特基二極管提升電氣功率轉(zhuǎn)換效率

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應(yīng)用。

發(fā)表于：2012/11/22

Microchip推出集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器，以及高速、低FOM的MOSFET系列

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制（PWM）控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)（FOM）MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。這兩個(gè)全新系列彰顯了Microchip對(duì)于其實(shí)現(xiàn)更高電壓、更高效率及行業(yè)趨向的更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)這一承諾的顯著進(jìn)步。

發(fā)表于：2012/11/19

IDT 推出業(yè)界最低功率 DDR3 - 1866 內(nèi)存緩沖芯片用于高性能 LRDIMM 應(yīng)用

IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲(chǔ)應(yīng)用的先進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

發(fā)表于：2012/11/12

FCI為XLerate?系列有源光纜提供CXP連接選項(xiàng)，以提供12通道、150Gb/s傳輸速度

作為連接器和互連系統(tǒng)的領(lǐng)先制造商，F(xiàn)CI開發(fā)了CXP-to-CXP 12X連接方案，可以補(bǔ)充其XLerate? -12X 系列有源光纜組件的產(chǎn)品線。12-通道光纜組件支持每通道高達(dá)12.5Gb/s 的信號(hào)傳輸速率，提供150Gb/s總帶寬，以及每厘米線性板長(zhǎng)55Gb/s 的速率。XLerate-12X系列 CXP界面支持IEEE802.3ba和Infiniband工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：2012/11/9

Diodes肖特基二極管節(jié)省空間高達(dá)66%

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關(guān)、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機(jī)與平板電腦等超便攜產(chǎn)品更高密度的設(shè)計(jì)需求。

發(fā)表于：2012/10/31

Diodes推出超微型二極管適用于輕巧便攜式產(chǎn)品

Diodes公司 (Diodes Incorporated)推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。這批首次推出的6.0V 基納二極管及開關(guān)二極管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的規(guī)格供應(yīng)，比采用DFN1006-2封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省70%的印刷電路板空間，并降低40%的離板高度。

發(fā)表于：2012/10/25

Fox推出新型XpressO TCXO

全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應(yīng)商及IDT附屬公司Fox Electronics現(xiàn)已推出定制頻率達(dá)到250MHz的新型TCXO產(chǎn)品XpressO-TC，進(jìn)一步增強(qiáng)其創(chuàng)新型XpressO低抖動(dòng)可配置振蕩器系列。與所有XpressO振蕩器一樣，新型TCXO器件能夠在十個(gè)工作日以內(nèi)出貨，遠(yuǎn)較競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)出貨時(shí)間優(yōu)勝。

發(fā)表于：2012/10/18

富士通半導(dǎo)體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新產(chǎn)品MB85RC256V。至今為止，富士通V系列FRAM產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的FRAM產(chǎn)品，為當(dāng)今對(duì)元器件電壓范圍要求高的領(lǐng)域提供了設(shè)計(jì)的方便。作為全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM供應(yīng)商，富士通后續(xù)還將根據(jù)市場(chǎng)需求推出更大容量的產(chǎn)品。

發(fā)表于：2012/10/16

SICK公司IME電感式接近開關(guān)

IME系列接近開關(guān)是SICK公司根據(jù)目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)接近開關(guān)的產(chǎn)品要求而開發(fā)出的新一代的接近開關(guān)，本土化的設(shè)計(jì)，本地化的生產(chǎn)，給客戶提供了一個(gè)最高性價(jià)比的產(chǎn)品。

發(fā)表于：2012/10/15

德國(guó)西克帶給您伺服反饋接口的數(shù)字化革命—HIPERFACE® DSL

利用創(chuàng)新的抗干擾HIPERFACE®DSL 協(xié)議，未來所有的通信都可由兩根電纜線實(shí)現(xiàn)，而這兩根電纜線被整合到電機(jī)的動(dòng)力電纜線中，同時(shí)保證絕對(duì)穩(wěn)定、可靠。

發(fā)表于：2012/10/15

SICK公司GR18S 圓柱形Mini光電開關(guān)

GR18S圓柱形Mini光電開關(guān)采用SICK獨(dú)有的PinPoint類激光光源技術(shù)，并提供多種外殼和安裝方式，以及IP67的防護(hù)等級(jí)，尤其適用于生產(chǎn)線上的食品飲料檢測(cè)、灌裝線透明PET瓶檢測(cè)、包裝/塑料/玻璃/陶瓷機(jī)械的移動(dòng)物體檢測(cè)等。GR18S極具競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比致力于為設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供最大冗余度。

發(fā)表于：2012/10/15

國(guó)產(chǎn)光通信芯片亟待突圍

光通信,顧名思義，光通信是“以光來傳送信息”的一種通信方式，其運(yùn)作原理是在發(fā)送端通過裝置，將信息轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，再利用光纖所構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)傳遞該信號(hào)。整個(gè)光通信產(chǎn)業(yè)范疇，包括光纖/光纜、光通信設(shè)備(如局域網(wǎng)絡(luò)設(shè)備/電信光傳輸設(shè)備/光通信量測(cè)設(shè)備)、光通信組件(光主動(dòng)/被動(dòng)組件)等，由于光通信產(chǎn)品類別多，產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)，具有很強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用，因此，世界眾多國(guó)家和地區(qū)紛紛導(dǎo)入光纖網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)，促進(jìn)光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：2012/10/15

英飛凌成功推出以極具吸引力的性價(jià)比實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先效率的第五代thinQ!TM SiC肖特基勢(shì)壘二極管

英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個(gè)優(yōu)值系數(shù)（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。

發(fā)表于：2012/10/10

德州儀器 2.5A 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器延長(zhǎng) 1 倍器件使用壽命，并擴(kuò)大工作溫度范圍

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 與MOSFET 的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。該ISO5500 的輸入TTL 邏輯與輸出功率級(jí)通過電容二氧化硅(SiO2) 隔離層隔開，與光耦合器及磁性隔離器相比，可將器件使用壽命延長(zhǎng)1 倍。該器件與隔離電源配合使用時(shí)，可阻隔高壓、隔離接地、避免噪聲電流進(jìn)入本地接地，干擾或損壞敏感電路系統(tǒng)，從而提高電子產(chǎn)品的安全性與可靠性。

發(fā)表于：2012/10/9

恩智浦?jǐn)U展高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的ESD（靜電放電）保護(hù)器件供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日宣布擴(kuò)展其電路保護(hù)器件范圍；這些產(chǎn)品同時(shí)具備超低電容和超低鉗位電壓特性。恩智浦ESD保護(hù)產(chǎn)品組合具有出色的ESD耐用保護(hù)，超過系統(tǒng)級(jí)的IEC61000-4-2第4級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，包含15款器件，是保護(hù)HDMI、MHL、MIPI、DisplayPort、eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號(hào)線的理想之選。

發(fā)表于：2012/9/18