微波射頻相關文章 超高頻短路環偶極子抗金屬標簽的設計與分析 針對射頻識別（RFID）標簽抗金屬性的實際需求，結合短路環偶極子天線輻射能力較強、制造簡單、成本低、防靜電且適宜阻抗匹配等優點，設計了一類短路環偶極子抗金屬標簽。設計中將標簽天線制作在具有良好輻射特性、成本低廉、材質為FR-4的基板上，減小金屬環境吸收電磁波對天線輻射的干擾，使短路環偶極子標簽具有抗金屬性；同時在短路環偶極子天線中引入阻抗臂，通過阻抗臂對短路環偶極子天線進行阻抗匹配及優化。經過仿真實驗及測試其結果表明，所設計標簽具有良好的抗金屬性和阻抗匹配特性。 發表于：6/25/2014 一種五天線雙頻點GPS接收機射頻前端設計 介紹了一種5路GPS天線同時輸入并且可以同時輸出2路GPS L1頻點中頻信號以及5路GPS L2頻點中頻信號的GPS射頻前端系統。該射頻前端可以同時處理多路GPS信號，輸出的中頻信號32級可調，功耗小，抗干擾能力強，特別適合需要同時處理多路信號的GPS接收機系統。 發表于：6/20/2014 北斗/GPS雙模射頻接收模組的設計與實現 順應雙模或多模衛星導航接收機在民用市場中的發展趨勢和需求，結合衛星導航接收機涉及的幾個關鍵技術指標和射頻電路設計的基本理論，采用兩片MAX2769射頻芯片，設計了一款北斗/GPS雙模兼容的射頻接收模組。實測結果表明，設計的模組性能優越，工作穩定，可以有效應用于商用衛星導航雙模兼容接收機的研究中。 發表于：6/19/2014 基于傳播模型和候機廳的三維無線定位技術 為了滿足航空旅客在機場候機大廳的位置服務需要，同時為了降低AP（Access Point）部署的高度對定位的影響，提出了一種基于信號強度和傳播模型的三維定位技術。該方法首先采用最小二乘法確定傳播模型的參數，再使用最小均方差實現定位。實驗結果表明，該算法的誤差在3 m內，準確率達83.36%，能夠滿足旅客在機場候機廳內位置服務的需要。 發表于：6/16/2014 Molex塑料基板互連(PSI)產品提供快速、可靠的LED板載 (CoB) 陣列燈座連接 Molex公司增添了用于LED板載(Chip-on-Board, CoB)陣列的塑料基板互連(PSI)產品，繼續成為固態照明(SSL)互連技術領域的領導廠商。這些可定制的互連產品具有可提供電源的低側高線束接口，同時提供了簡單、可靠的陣列燈座或塑料基板連接。MolexPSI具有~2.00mm的低總體封裝高度，實現了適用于空間受限應用的纖細設計，同時最大限度地降低了基板成本。通過使用Pico-EZmate?線束系統，這款解決方案集成了電氣和機械特性，具有簡單的免焊接LED陣列連接。 發表于：6/6/2014 基于混沌振子和EEMD的周期信號檢測方法 針對含強噪聲周期信號的檢測，提出基于混沌振子結合集合經驗模式分解降噪的檢測新方法；針對相位差對檢測結果的影響，提出正反導入的檢測方法，該方法能有效克服由相位差造成的漏檢現象。對仿真信號和故障軸承振動信號的檢測效果表明,混沌振子結合集合經驗模式分解降噪的方法能有效檢測含在強噪聲中周期信號,進一步提高了混沌振子對周期信號的檢測能力和對噪聲的免疫力。 發表于：6/6/2014 美高森美發布用于高壓工業應用的創新SiC MOSFET系列繼續保持在碳化硅解決方案領域的領導地位 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列─1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。 發表于：6/3/2014 Ku波段0.18 μm CMOS壓控振蕩器電路設計 在TSMC 0.18 μm RF CMOS工藝下設計了一個Ku波段電感電容壓控振蕩器，該電路采用NMOS交叉耦合型，結合濾波技術降低相位噪聲，并利用開關電容陣列為其擴頻，使電路獲得卓越的性能。后仿真結果表明，該電路實現了10 GHz～14 GHz的寬調頻，在整個頻帶內其相位噪聲低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移處；在1.8 V的電壓下，核心電路工作電流為5 mA。 發表于：5/27/2014 Vishay推出業內首款采用2726和4026外形尺寸的 Power Metal Strip®檢流電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布業內首款采用2726和4026外形尺寸，工作溫度高達+275℃的表面貼裝、4接頭的Power Metal Strip®檢流電阻--- WSLT2726和WSLT4026。Vishay Dale WSLT2726和WSLT4026具有良好的高溫性能和3W額定功率，以及低至0.002Ω的極低阻值。 發表于：5/23/2014 Vishay發布業內首款采用熱增強PowerPAK® SC-70封裝的150V N溝道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業內最低的導通電阻，可通過減少傳導和開關損耗，在各種空間受限的應用中提高效率。 發表于：5/9/2014 Littelfuse推出新的463系列NANO²®超小型保險絲，可在高電流應用中發揮一流性能 Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業，日前宣布推出463系列NANO2®保險絲，這種快熔型超高電流保險絲專為高工作電流應用設計。 發表于：5/6/2014 Vishay發布新款高可靠性通用扁繞功率電阻 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通用扁繞功率電阻---EDGU。 發表于：5/5/2014 Vishay Hi-Rel固鉭電容器為軍工和航天系統提供內置熔絲 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于軍工和航天應用的TANTAMOUNT®表面貼裝固鉭模塑片式電容器的新Hi-Rel系列產品---T42。 發表于：4/30/2014 Molex Plateau HS Dock+?連接器系統提升速度達150% Molex 公司推出Plateau HS Dock+? 連接器系統, 用于需要較高數據速率和出色信號完整性的網絡，以滿足網絡和無線設備市場的增長需求。 發表于：4/30/2014 Vishay推出應用在便攜電子產品中的，且具有業內最低導通電阻的新款MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。 發表于：4/29/2014 ?…78798081828384858687…?
