頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 傳Arm與高通競購SerDes巨頭 傳Arm與高通競購SerDes巨頭，后者股價暴漲21%！ 發(fā)表于：4/2/2025 英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)階段 4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁、英特爾代工部門負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。 發(fā)表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計劃2025財年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開發(fā)。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機(jī)控制參考設(shè)計 2025 年 4 月 2 日，中國——意法半導(dǎo)體的 EVLSERVO1伺服電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計是一個尺寸緊湊的大功率電機(jī)控制解決方案，為設(shè)計人員探索創(chuàng)新、開發(fā)應(yīng)用和設(shè)計產(chǎn)品原型提供了一個完整的無縫銜接的開發(fā)平臺。 發(fā)表于：4/2/2025 臺積電美國廠全部量產(chǎn)后營收占比將達(dá)三分之一 4月1日消息，據(jù)英國《金融時報》報道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠(yuǎn)低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 2025年4月1日，中國蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 發(fā)表于：4/2/2025 業(yè)界預(yù)計臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風(fēng)險性試產(chǎn) 4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂觀預(yù)計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬塊晶圓。 發(fā)表于：4/2/2025 定制化HBM需求明年將顯著增長 兩大技術(shù)路線受矚目 4月1日消息，為了滿足更高頻寬、更大容量、更高效率的需求，定制化高帶寬內(nèi)存（HBM）正逐步成為市場焦點(diǎn)，預(yù)計至2026年，隨著HBM4的推出，定制化HBM市場將迎來顯著增長。目前英偉達(dá)（NVIDIA）、亞馬遜、微軟、博通及Marvell等主要IT業(yè)者正積極推動HBM的定制化發(fā)展。 發(fā)表于：4/2/2025 PTS845 輕觸開關(guān)系列使用壽命延長至百萬次滿足高使用率應(yīng)用 2025年4月1日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界提供動力。公司日前宣布C&K Switches PTS845系列側(cè)面操作輕觸開關(guān)的耐用性現(xiàn)已得到提升 發(fā)表于：4/2/2025 新加坡研究團(tuán)隊成功在單個晶體管中實(shí)現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)行為 近日，新加坡國立大學(xué)的材料科學(xué)與工程系副教授 Mario Lanza 領(lǐng)導(dǎo)的一個團(tuán)隊已經(jīng)證明，神經(jīng)形態(tài)行為可以在標(biāo)準(zhǔn)單個晶體管中實(shí)現(xiàn)。該團(tuán)隊發(fā)布的《標(biāo)準(zhǔn)硅晶體管中的突觸和神經(jīng)行為》的論文已于 3 月 26 日發(fā)表在科學(xué)雜志《自然》上。該論文的第一作者是來自阿卜杜拉國王科技大學(xué)的 Sebastián Pazos 博士。 發(fā)表于：4/2/2025 ?…133134135136137138139140141142…?
