電子元件相關(guān)文章 嘗到甜頭，AMD將更多訂單轉(zhuǎn)向臺積電 在過去兩年了，得益于自己的設(shè)計優(yōu)勢還有臺積電先進制程的加持，AMD在處理器的地位日益攀升，并逐漸有了叫板Intel的底氣。據(jù)報道，AMD現(xiàn)在正在將更多的訂單轉(zhuǎn)向臺積電，以謀求更大的成功。而這無論對臺積電、AMD都是有利的，受傷的也許就只有格芯一個。 發(fā)表于：9/23/2020 TE Connectivity亮相2020中國（上海）國際傳感器技術(shù)與應(yīng)用展覽會 上?！?020年9月23日—今日，TE Connectivity（以下簡稱“TE”）亮相2020中國（上海）國際傳感器技術(shù)與應(yīng)用展覽會SENSOR CHINA。以“未來感知，由我先知”為主題，TE傳感器事業(yè)部通過互動模擬演示、口碑產(chǎn)品展示等多種形式，于B051號展臺向現(xiàn)場觀眾生動呈現(xiàn)了其助力中國智能交通、智能工業(yè)、智能醫(yī)療等多個智能應(yīng)用場景升級與落地的多品類傳感產(chǎn)品和解決方案。 發(fā)表于：9/23/2020 Arm發(fā)布全新服務(wù)器芯片及路線圖，進一步叫板X86 Arm對服務(wù)器市場擁有巨大的野心是一件眾所周知的事實，但這是需要歷經(jīng)數(shù)年才得以實現(xiàn)的愿望。過去多年里，雖然Arm陣營經(jīng)過許多懷疑和錯誤的嘗試，但到2020年的今天，沒有人可以否認(rèn)，由該公司CPU IP驅(qū)動的服務(wù)器芯片的確具有競爭力，而且在多個指標(biāo)上實際上處于領(lǐng)先地位。 發(fā)表于：9/23/2020 95.8億！43個項目簽約落戶重慶梁平 9月22日，重慶梁平舉行2020年三季度招商項目集中簽約暨重點項目集中開工活動，43個項目集中簽約，協(xié)議引資95.8億元，涵蓋工業(yè)支柱產(chǎn)業(yè)、“兩新一重”、鄉(xiāng)村振興、城市提升、民生保障等多個領(lǐng)域；賽美康GPP芯片等29個重大項目集中開工，投資總額75.2億元。 發(fā)表于：9/23/2020 臺積電2nm工藝獲重大突破！ 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。 發(fā)表于：9/23/2020 已獲準(zhǔn)供貨華為？英特爾正式回應(yīng)...... 近日，多家媒體報道稱，英特爾已經(jīng)得到了向華為供貨的許可。 發(fā)表于：9/23/2020 東芯半導(dǎo)體IPO申請獲批！國家大基金間接持股，與中芯達成合作關(guān)系 芯東西9月23日消息，上交所官網(wǎng)科創(chuàng)板股票審核頁面最新更新顯示，存儲芯片設(shè)計商東芯半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO申請已于昨日獲得受理。 發(fā)表于：9/23/2020 Arm連發(fā)兩大服務(wù)器CPU新品！單核性能猛增50% 今天，Arm公布下一代Neoverse服務(wù)器CPU設(shè)計，不僅公布N系列的第二代產(chǎn)品N2，還首次推出了全新產(chǎn)品類別Neoverse V系列平臺，劍指最高單線程性能。 發(fā)表于：9/23/2020 華為聯(lián)合英特爾發(fā)布FusionServer Pro系列新一代服務(wù)器產(chǎn)品2488H V6 繼英特爾宣布已獲得向華為供貨許可之后，9月22日，華為聯(lián)合英特爾在線上發(fā)布了FusionServer Pro服務(wù)器系列最新一代產(chǎn)品2488H V6。 發(fā)表于：9/23/2020 高通正式發(fā)布驍龍750G 5G平臺：首次加入A77大核，小米將首發(fā) 9月23日消息，昨日高通正式發(fā)布了新款“驍龍750G”處理器，面向主流5G市場，定位在驍龍768G/765/765G之下，但采用了全新的設(shè)計和新IP，性能和功能都不弱，尤其是首次將Arm Cortex-A77 CPU大核心引入到了驍龍7系列中。 發(fā)表于：9/23/2020 華為郭平：求生存是華為的主線！如果可以，愿用高通芯片生產(chǎn)手機！ 在美國對華為實施“斷供”的壓力下，9月23日，華為一年一度的全聯(lián)接大會依舊照常召開。該會議由華為自辦、每年面向ICT產(chǎn)業(yè)的全球性年度旗艦活動，是華為發(fā)布重大戰(zhàn)略的平臺。 發(fā)表于：9/23/2020 Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源 賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。 發(fā)表于：9/23/2020 185億！北美半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備制造商8月銷售額較上月環(huán)比增長3% 【TechWeb】9月21日消息，據(jù)國外媒體報道，6月份環(huán)比恢復(fù)增長之后，北美半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備制造商8月份的銷售還在進一步增加，達到了26.5億美元。 發(fā)表于：9/23/2020 三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線二線正式開工！提供全新一代DRAM產(chǎn)品 近日，據(jù)外媒報道，三星電子平澤工廠的第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)的產(chǎn)品是采用極紫外光刻技術(shù)制造的16Gb LPDDR5移動DRAM芯片。 發(fā)表于：9/23/2020 官宣！中國“上新”北京、湖南、安徽3個自貿(mào)區(qū)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)備受關(guān)注 據(jù)中國政府網(wǎng)9月21日消息，國務(wù)院日前印發(fā)《中國（北京）、（湖南）、（安徽）自由貿(mào)易試驗區(qū)總體方案》和《中國（浙江）自由貿(mào)易試驗區(qū)擴展區(qū)域方案》。 發(fā)表于：9/23/2020 ?…419420421422423424425426427428…?
