4 月 10 日消息，韓媒 Sedaily 于 4 月 8 日發布博文，報道稱在美國新關稅政策的不確定性下，存儲巨頭們并未放緩腳步，反而加速角逐 HBM3E 市場。
IT之家援引博文報道，三星調整了 HBM3E 產品設計，計劃今年 4 月向英偉達大規模供應 8H 版本。另一家韓國媒體 EBN 透露，若進展順利，三星 12 層 HBM3E 有望 5 月獲得英偉達認證。
SK 海力士長期稱霸 HBM 市場，但美光正迎頭趕上。另一家韓媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通過 12 層 HBM3E 驗證，并開始交付，支持英偉達最新 B300 產品。
該媒體分析認為美光的 DRAM 總產能雖然不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先進工藝占比更高。這讓美光在產品質量上占優，尤其在 HBM 關鍵的散熱管理方面表現突出。
此外存儲巨頭也在加速推進 HBM4 競賽。三星計劃 2025 年實現 HBM4 量產，但其 10nm 1c DRAM 工藝尚未成熟，目標充滿挑戰。
Business Korea 早前提到，美光預計 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年生產的 HBM 多為 12 層產品。兩大巨頭在技術升級上各有布局，未來競爭將更激烈。
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