4 月 9 日消息，根據首爾經濟日報報道，三星電子開始研發 1.0nm 晶圓代工工藝，以圖在與臺積電的競爭中實現“技術翻盤”。

根據該日報報道，三星電子半導體研究所近日正式著手研發 1.0nm 工藝，部分曾參與 2nm 等尖端制程的研發人員被抽調，組建了專項項目團隊。在目前三星公開的晶圓代工工藝路線圖中，計劃于 2027 年量產的 1.4nm 工藝為目前最尖端的工藝。

根據該日報所述，1nm 工藝需要打破現有設計框架，引入新技術概念，以及引入高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設備等下一代設備。三星預計，量產時間將在 2029 年之后。

目前，三星在量產中的 3nm 工藝，以及預計在今年量產的 2nm 工藝，首爾經濟日報認為技術上仍落后于臺積電，尤其是 2nm 工藝方面，臺積電的良率已突破 60%，存在顯著差距。因此，三星對 1nm 工藝寄予厚望，三星會長李在镕上月向高管們強調要“延續重視技術的傳統”，并表示“以前所未有的技術引領未來”。

根據此前援引韓媒 The Bell 報道，三星目前最新的 2nm SF2 工藝初始良率“高于預期”，搭載該工藝的 Exynos 2600 芯片試產良率為 30%。