7月17日消息，據(jù)國光量子介紹，近日國光量超在量子芯片制造領(lǐng)域取得重大突破，推出4英寸1nm精度離子束刻蝕機。

該設(shè)備將為量子芯片生產(chǎn)帶來前所未有的精度和效率提升，有望推動我國量子計算高精度芯片的進一步提升。

離子束刻蝕機是量子芯片制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備，通過使用高能離子束精確去除材料，實現(xiàn)對芯片微觀結(jié)構(gòu)的精細加工。

國光量超的這款離子束刻蝕機采用了自主研發(fā)的先進技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)亞納米級別的刻蝕精度，滿足量子芯片對微小尺寸和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的嚴格要求。

同時，該設(shè)備還具備高穩(wěn)定性和高效率的特點，能夠大幅縮短量子芯片的生產(chǎn)周期，降低制造成本。

國光量超的離子束刻蝕機還具備多項創(chuàng)新特性，包括獨特的離子源設(shè)計、高精度的束流控制系統(tǒng)和自動化的工藝監(jiān)測功能，能夠有效提高刻蝕過程的可控性和一致性，進一步提升量子芯片的性能和良品率。

量子計算作為下一代計算技術(shù)的核心，具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

然而，量子芯片的制造一直是該領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸之一，對設(shè)備精度和工藝要求極高。國光量超的離子束刻蝕機的推出，將有效解決這一難題，為我國量子芯片的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用提供有力支持。

此次國光量超離子束刻蝕機的成功推出，有望加速量子計算產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，徹底解除量子計算芯片生產(chǎn)的瓶頸。