7 月 23 日消息，韓媒 The Elec 本月 17 日報道稱，三星電子預計于明年推出的 2nm 先進制程將較現有 3nm 工藝增加 30% 以上的 EUV 曝光層數，達“20~30 的中后半段”。
韓媒在報道中提到，根據產品性質的不同，即使同一節點曝光層數量也并非完全固定。不過總體來說，三星電子 3nm 工藝的平均 EUV 曝光層數量僅為 20 層；
而在預計于 2027 年量產的 SF1.4 制程中，EUV 曝光層的數量有望超越 30 層。
▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻機 NXE:3800E
隨著先進制程的演進，對晶體管尺寸的要求逐漸嚴苛。而在曝光層中用 EUV 光刻取代傳統 DUV，可實現更高光刻精度，進一步提升晶體管密度，在單位面積中容納更多的集成電路。
在此背景下，先進邏輯代工企業積極購進 ASML 的 EUV 機臺。
以臺積電為例，根據IT之家此前報道，其今明兩年將總共接收超 60 臺 EUV 光刻機。韓媒預估臺積電到 2025 年底將擁有超 160 臺 EUV 光刻機。
此外 DRAM 內存行業的 EUV 光刻用量也在提升：
在第六代 20~10nm 級工藝（即 1c nm、1γ nm）上，三星電子使用了 6~7 個 EUV 層，SK 海力士使用了 5 個 EUV 層，美光也在此節點首次導入了 EUV 光刻。
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