許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，這可能并不是什么大問題。但是，如果企業(yè)出現(xiàn)了類似的謊報行為，則可視為虛假廣告，是在欺騙用戶。據(jù)芯智訊收到的一份據(jù)稱半導體研究機構TechInsights的報告(我們沒有購買TechInsights的會員，因此無法進一步查證)，現(xiàn)在的半導體市場就出現(xiàn)了這種“謊報”的行為，兩家領先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4nm工藝，而實際使用的卻仍是5nm技術。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。這背后，也意味著晶體管微縮技術發(fā)展的放緩。報告稱，這個問題最初始于三星。
在與臺積電下一個節(jié)點的長期競爭中，三星在交付5nm芯片的一年后，宣布將于2021年底交付生產4nm芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5nm和4nm節(jié)點之間用兩年時間，在2022年第2季度交付4nm。為了避免給三星“耀武揚威”的機會，臺積電決定將其N4(4nm)節(jié)點的進度“拉快”兩個季度，以恰巧趕上競爭對手。首個使用臺積電N4工藝的芯片是聯(lián)發(fā)科的天璣9000系列。臺積電可以突然從其通常嚴格而耗時的生產認證周期中足足擠出六個月的時間，對于這一點，我們本就應該感到懷疑。
當TechInsights分析天璣9000并發(fā)現(xiàn)關鍵工藝尺寸與臺積電早期N5產品完全相同時，情況就不妙了。顯然，臺積電聲稱的4nm產品是虛假的，正如聯(lián)發(fā)科技聲稱擁有4nm處理器一樣。與此同時，三星的智能手機部門正準備推出Galaxy S22，該機型部分搭載了三星自有的Exynos 2200處理器，宣稱采用4nm技術制造，但高通的驍龍8 Gen 1(出現(xiàn)在一些S22型號內)采用的是5nm技術制造。為避免客戶對一種處理器(較于另一種處理器)在制程工藝上領先的渴望，兩家公司決定將8 Gen 1作為4nm芯片推出。
因為三星生產這兩種產品，所以它創(chuàng)造了一種稱為4LPX的新工藝，像N4一樣，但只為一種產品服務。TechInsights在分析了驍龍芯片后，發(fā)現(xiàn)三星4LPX工藝在物理上與其5LPE工藝并沒有什么不同。但頗為諷刺的是，唯一使用真正4nm技術的產品比假冒的4nm產品表現(xiàn)更差。因為，三星在將其4LPE工藝投入生產方面過于冒進，導致Exynos 2200高缺陷率和低能效——特別是在其新的圖形引擎中。
由于Exynos芯片供應有限，三星電子在大多數(shù)Galaxy S22型號采用了高通驍龍8 Gen 1 處理器。這些生產困境進一步促使高通轉向采用臺積電N4P工藝代工其新一代的旗艦處理器驍龍8+ Gen 1。TechInsights認為，臺積電N4P才是真正的4nm技術。驍龍8+ Gen 1是首個公開的臺積電N4P工藝產品，預計蘋果A16也將會使用N4P代工。這兩種芯片都已經投產，蘋果A16并將在9月份左右應用于新一代的iPhone 14系列手機。
臺積電通常會給蘋果一到兩個季度的獨家使用權來使用其最新的制造技術。看到高通出現(xiàn)在首批客戶名單上令人驚訝，尤其是考慮到其基于驍龍的智能手機與蘋果的iPhones直接全面競爭。
在芯片的生產環(huán)節(jié)中，有三個主要環(huán)節(jié)，分別是設計、制造、封測。
以前的芯片企業(yè)，需要自己搞定這三個環(huán)節(jié)。但現(xiàn)在眾多的芯片企業(yè)，均只負責中間的一個環(huán)節(jié)，大家分工合作。
比如蘋果設計芯片，臺積電制造芯片，長電科技封測芯片，大家分工合作。
由于是分工合作的，所以廠商們競爭就非常激烈，誰的技術最牛，誰的訂單就不斷。
比如制造方面，臺積電最牛，所以它一家就拿下了全球55%+的代工訂單。
而在封測上面，臺灣省的日月光最牛，所以它全球第一家，一家就拿下了全球30%左右的封測訂單，關鍵是日月光的很多技術非常領先。
不過好在，中國大陸的封測企業(yè)，也是相當爭氣的。全球Top10的封測企業(yè)中，中國有3家上榜，分別是長電科技，通富微電、華天科技，分別位列全球第3、5、6名。
從技術上來看，大家相差不是特別遠，去年的時候，三家廠商就表示，已經能夠封測5nm的芯片，與全球頂尖水平基本一致。
而近日，長電科技在自己的官微上發(fā)文表示，公司在先進封測技術領域又取得新的突破，已經實現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。
目前三星表示已經量產3nm芯片，但3nm芯片還沒有真正的亮相。所以4nm芯片就是最先進的硅節(jié)點技術，而手機芯片又是4nm芯片中最具代表性的，比如高通驍龍8+、天璣9000等，都是4nm工藝。
所以長電科技表示能夠封測4nm手機芯片，也就意味著其封測技術達到了最頂尖的水平了?
當然，封測達到4nm，大家也不必太高興，畢竟封測是這三個環(huán)節(jié)中門檻最低的，又不是制造達到了4nm，如果制造達到了4nm，那就是真的牛了。
臺積電憑借其先進制程的技術優(yōu)勢，穩(wěn)坐晶圓代工市場的頭把交椅，而三星作為追隨者這么多年來一直在尋找趕超臺積電的機會。可惜三星最近幾代工藝的問題太多，導致高通都轉投臺積電，三星自然不會善罷甘休。
據(jù)外媒報道，三星現(xiàn)在正向晶圓代工先進制程發(fā)起沖鋒，繼在 6 月底宣布 3nm 領先業(yè)界量產后，其4nm 的良品率也已經有了顯著提升，并且正在準備擴大其產能，預計到今年第四季度每月將會新增 2 萬片產能，準備在 4nm 制程上上豪擲約 50000 億韓元(約 258 億元人民幣)的投資，以此希望能夠從臺積電手上搶下更多高通、AMD、英偉達等大廠的晶圓代工訂單。
業(yè)界指出，三星晶圓代工產能過往約六成提供自家芯片生產，其余承接委外訂單，今年積極擴產，并擴大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產能占比降至五成。研究機構估計，三星在先進制程產能規(guī)模上仍僅約臺積電五分之一。
早在6月份，三星電子就已經正式官宣，已于韓國的華城工廠大規(guī)模開始量產3nm芯片，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構，能極大改善芯片的功率以及效率。
與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時減少16%的面積。三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會應用于高性能、低功耗的計算領域，并計劃拓展到移動處理器。
三星電子的3nm芯片采用了GAA架構通過降低電源電壓和增強驅動電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也應用過納米片晶體管，與納米線技術相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。
最直觀的就是在5nm工藝時，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺積電，而由臺積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個方面都遠超三星5nm工藝的驍龍8。這主要是因為三星的5nm工藝對比臺積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。因此，就連英偉達就宣布下一代40系顯卡將采用臺積電的N4工藝打造，不帶三星玩了。
有消息稱，三星旗下的Exynos 2300處理器可能會使用3nm工藝制造，并在明年的Galaxy S23系列上搭載。但也有消息稱，由于三星Exynos 處理器的表現(xiàn)未達預期，Galaxy S23系列極有能全部采用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工藝，并在Pixel 8系列上搭載。高通在即將發(fā)布的驍龍 8 Gen2上選擇了臺積電的4nm工藝，可能是真的被三星的5nm工藝坑怕了吧。
此次三星豪擲重金，不知能否在4nm制程工藝上成功搶單臺積電，看來半導體行業(yè)又將風起云涌了。
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